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在石墨烯的化学气相沉积工艺中,铜箔是决定石墨烯薄膜质量的重要因素。传统铜箔由于制备工艺的限制,存在大量的缺陷,导致石墨烯薄膜的成核密度较高。本工作选用抛光铝板、抛光不锈钢板、微晶玻璃和SiO2/Si作为基材,用热蒸镀法制备了不同粗糙度的铜箔,并详细讨论了以该系列铜箔生长高平整度石墨烯薄膜的条件及铜箔对石墨烯薄膜品质的影响。实验结果表明,铜箔以(111)取向为主,与基材分离后,表面具有纳米级平整度。在生长石墨烯后,从SiO2/Si剥离的铜箔成核密度是4种基材中最小的。同时,从SiO2/Si剥离的铜箔晶体结构变化最不明显,具有良好的结晶性,表面几乎不存在铜晶界缺陷。当压强为3 000 Pa,氢气和甲烷流速分别为300 mL/min和0.5 mL/min时,可以获得约1 mm横向尺寸的石墨烯单晶晶畴。 相似文献
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变频器(Frequency Converter)作为电动机的调速设备,在使用过程中会出现各种故障情况。针对传统的变频器故障诊断方法存在准确率和实效性较低的问题,该文提出一种基于改进深度残差网络(Deep Residual Network,DRN)的故障分类方法。通过对传统Resnet50模型减少卷积核数目和大小,使模型计算量明显减少,模型训练时间缩短1分54秒,提高了实效性。通过改进深度残差网络的激活函数和池化方式,保证梯度为负时,同样可以被激活,防止了高维信息的丢失,故障分类准确率提高至99.88%。分别利用不同的变频器故障分类方法进行对比实验。实验结果表明,该文改进的深度残差网络故障分类方法准确率最高、实效性最好。 相似文献
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