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用射央求地在硅单晶衬底上沉积出电导率高达60S/cm的a-SiHY合金薄膜。在20-300K,对于钇含量高的样品,其电导仍是热激活的。lgσ与1/T的关系曲线能够被拟合成斜率不同的两条直线,直线的斜率和两直线间拐点所地 温度依赖于膜中钇的含量。但对钇含量低的薄膜,电导对温度的依赖关系度为σ∝exp(-1/T^1/4)。结果表明,这些钇含量不同的样品在没的温度范围内具有不同的导电机制。 相似文献
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GaN蓝光材料及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了作为第三代电子材料的GaN的基本性质,综述了其主要制备方法及应用领域,对其应用前景进行了预测。 相似文献
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MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性 总被引:11,自引:4,他引:7
MgO和ZnO形成合金MgxZn1-xO的带隙可以在3.3~7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景.由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/MgxZn1-xO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值.回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/MgxZn1-xO超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/MgxZn1-xO对超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系. 相似文献
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本文介绍了作为第三代电子材料的GaN的基本性质,综述了其主要制备方法及应用领域,对其应用前景进行了预测。 相似文献
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多晶的六角密排的c轴平行于衬底的ZnO膜已用射频溅射的方法制备出来,一电场感应的氧吸附在这些膜上被观察到由紫外光照射或与Ar离子反应所产生的氧的脱附可使膜的电导率增加6-7个数量级,并且一个积累层在膜的表面显现出来。 相似文献