铍离子注入锑化铟快速热退火的背散射沟道分析

本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。     

Hg_（1－x）Cd_xTeTHM法晶体生长的数值模拟

Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅＴＨＭ法晶体生长的数值模拟严北平，王朝东，刘家璐，罗宏伟，张延庆（西安电子科技大学电子所西安７１００７１）郎维和，张宝峰（华北光电技术研究所北京１０００１５）Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ是目前长波红外探测器的最好材料，而大...     

高压水射流作用下岩石破碎机理及过程的数值模拟研究

根据连续介质力学和有限元理论,给出了高压水射流破岩系统中流体和岩石的控制方程,并建立了相应的有限元列式．运用连续损伤力学和细观损伤力学理论,建立了适用于水射流破岩全过程分析的岩石损伤模型以及宏细观损伤的耦合模式．数值计算的结果较真实地反映了水射流破岩过程中,岩石的动态响应以及水射流动力学特性的演化过程,普通连续水射流破碎岩石主体所用的时间为毫秒量级,破岩的主要形式是卸载及射流冲击所产生的拉伸破坏,并呈“阶跃式”发展．数值计算与相关试验结果基本吻合,表明该分析方法是可行的,可用来指导高压水射流破岩理论的进一步研究及应用．     

NUMERICAL SIMULATION STUDY ON ROCK BREAKING MECHANISM AND PROCESS UNDER HIGH PRESSURE WATER JET

The numerical simulation method to study rock breaking process and mechanism under high pressure water jet was developed with the continuous mechanics and the FEM theory. The rock damage model and the damage-coupling model suited to analyze the whole process of water jet breaking rock were established with continuum damage mechanics and micro damage mechanics. The numerical results show the dynamic response of rock under water jet and the evolvement of hydrodynamic characteristic of jet during rock breaking is close to reality, and indicates that the body of rock damage and breakage under the general continual jet occurs within several milliseconds, the main damage form is tensile damage caused by rock unload and jet impact, and the evolvement of rock damage shows a step-change trend. On the whole, the numerical results can agree with experimental conclusions, which manifest that the analytical method is feasible and can be applied to guide the research and application of jet breaking rock theory.     

利用Ferguson曲面构造广义协调板单元

根据广义协调原理，首先利用Ｆｅｒｇｕｓｏｎ曲面构造出薄板弯曲单元，将中厚度板视为双向深梁，由Ｔｉｍｏｓｈｅｎｋｏ理论拟合单元边界，利用Ｆｅｒｇｕｓｏｎ曲面的张量积性质，将薄板单元推广到中厚度板。数值结果表明此单元精度高，适应性强，且不出现剪切闭锁现象。     

利用Ferguson曲面构造中厚壳广义协调元

本文根据广义协调原理，利用Ｆｅｒｇｕｓｏｎ曲面构造含有剪切变形影响的法向位移，与面内位移结合，得出适用于中厚度壳体的平直单元模型．算例说明本单元性能良好．     

利用Ferguson曲面构造中厚壳广义协调元

本文根据广义协调原理，利用Ｆｅｒｇｕｓｏｎ曲面构造含有剪切形影响的法向位移，与面内移移结合，得出适用于中厚度壳体的平直单元模型，算例说明本单元性能良好。     

快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响

锑化铟是一种窄禁带化合物半导体。近几年,它作为3～5μm红外探测器阵列的一种材料受到广泛的重视。为了制备高质量的锑化铟PN结光电二极管,铍注入与快速热退火(RTA)技术相结合是一种最佳的选择。本文借助俄歇电子能谱(AES)对在快速退火条件下锑化铟表层化学配比的偏离进行了系统的研究。