掺锰的钾钠铌酸锶钡晶体中双光束诱导光学二极管效应

两束波长为632.8nm的He-Ne激光在掺Mn的钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体中对撞,诱导产生一个光学二极管,当两束光同时存在且入射功率分别为0.876mW和0.0914mW时,光学二极管两个方向上的等效透射率之比达202,并有继续增大的趋势。     

Mn:KNSBN晶体在632.8nm处高读出效率全息存储及电光张量元相对值估算

微瓦级的He-Ne激光器在掺Mn的KNSBN晶体中实现反射全息存储,最大净读出效率达60％。在本工作的实验条件下,理论和实验皆证明,用弱的物光和强的参考光可获得大的读出效率。在耦合系数为常数的范围内,测定了电光张量元之比。     

掺Mn的KNSBN晶体上微秒光折变光栅及其稳定性

KNSBN[(K_(1-x)Na_x)_(0.4)Sr_(1-y)Ba_y)_(0.8)Nb_2O_6)晶体是一种光电系数大、灵敏度高的光折变晶体。以前的研究工作表明,KNSBN晶体上光折变光栅的建立和消失时间在几秒到几十秒之间,而光折变光栅的稳定性研究则尚未报道。因而光折变光栅的稳定性研究具有重要的意义。例如,在含有相位共轭过程的光学自动跟踪中,一旦出现不稳定性,自动跟踪将失效。     

掺Mn的KNSBN晶体上附加光束对简并四波混频相位共轭的影响

掺Mn的KNSBN晶体上简并四波混频相位共轭特性作者已作了一些研究,就我们所知,在简并四波混频装置中加入与信号光逆向的附加光束并研究其对相位共轭过程的影响的研究尚未见报道。本文将简要报道这方面的初步研究结果。 实验中晶体光轴平行于工作台面,用连续的He—Ne激光束作为记录光和读出光,记录先垂直于台面偏振,功率为0.25mW,读出光平行于台面偏振,功率为0.34mW,相位共轭光     

Mn:KNSBN晶体在632.8nm处高读出效率全息存储及非常耦合系统

微瓦级的He-Ne激光束在掺Mn的KNSBN晶体中实现反射全息存储,最大读出效率达60%,实验中发现耦合系数一般地不为常数,在耦合系数为常数的范围内,测     

Mn:KNSBN晶体中背向光散射与光学二极管效应

用单束毫瓦级的632.8nmHe-Ne激光入射到掺Mn的KNSBN晶体中,观察到强烈的背向散射,同时观察到一种与背向散射相联系的光学二极管效应。在一定范围内,光学二极管的时间响应常数τ与晶体表面的入射光强成反比,以K₉玻璃片作反馈镜,可将τ降低一个数量级。已取得τ=1.5s及大于15.3的正、反向透过率比。对实验结果给出理论解释。 关键词：