功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.     

一个组合分布模型及其参数估计

本文根据极值分布理论,提出了一个由原始分布和尾分布组成的组合分布模型,研究了组合分布模型中原始分布和尾分布的确定方法,建立了组合分布模型参数估计的加权最优化模型,实例计算说明,组合分布较好地反映了风险变量极值事件的风险。     

功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.     

基于MAP的单帧字符图像超分辨率重建

字符是很多图像处理应用关注的区域,增强字符图像分辨率往往能提高字符识别率。针对字符图像纵横和对角线方向纹理特征,提出了一种提取不同方向纹理及图像平滑度度量的新方法,并在最大后验概率框架下,实现了单帧图像超分辨率重建算法。算法利用自适应可调模板作为卷积核,将纹理信息引入图像先验模型,最终将超分辨率重建转化为一个目标函数最优化问题。实验表明,该算法能有效提高字符图像的识别率,且对噪声具有较好的鲁棒性。     

快速光退火对ITO薄膜结构和性能的改善

利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响,致力于在低温退火工艺下改善薄膜性能.通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的增大,禁带宽度逐渐增大;对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长,样品的微结构致密性提高,各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体;但退火温度过高或退火时间过长反而不利于透明导电膜性能的提高,所以选取合适的退火温度和退火时闻是光退火下透光性和导电性都得到提升的关键.在200℃的退火温度下,退火12 min可实现样品的透光率在可见光范围内达到82%,电阻率ρ＝2.3×10-3Ω·cm.     

探究3D打印技术在CAD教学中的运用

3D打印作为一种全新的迅速成型的技术,被越来越多的社会大众所关注.文中主要以3D打印技术为着手点,结合中职CAD教学,深入讨论其技术会为CAD教学带来何种变化,重点阐述了3D打印技术在CAD教学中的运用策略,以期可以有效推动我国技工院校CAD教学的有序发展.     

甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品,重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图. 以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜,并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池. 关键词： 微晶硅薄膜 高速沉积 甚高频化学气相沉积     

中职计算机应用基础教学新模式——"云教室"分析

随着国家经济的不断发展,信息技术为人们的现实生活提供了诸多便利,中职计算机应用基础教学也越来越受到人们的关注.本文紧紧围绕中职计算机应用基础教学新模式——"云教室"展开分析,以期有效推动中职计算机应用基础教学工作的健康发展.     

基于类最佳逼近的三步直线生成算法

文章提出一种新的直线逼近方法——类最佳逼近，基于这种逼近方法，斜率k∈[0，0．5）的直线和斜率为1-k的直线具有某种互补性质。利用该性质，设计出一种新的三步直线方法，该算法揭示了直线计算的互补性，理论简单，精度达到最好。最后比较了该算法和直线的双步算法，Brensenham算法。指出新算法改善了Breserham算法和双步算法的计算效率。该算法对于硬件实现将更有益处。     

O2/CO2气氛下燃煤的钙基脱硫规律的实验研究

对含硫量较高的煤种在不同气氛和工况条件下，ＳＯ２的排放和吸收过程，开展了较为系统的实验和分析工作。实验结果表明：较之空气气氛，高ＣＯ２浓度对煤燃烧过程中ＳＯ２的排放有重要影响，并可显著提高钙基硫剂的高温脱硫效率，这结果为利用新型Ｏ２／ＣＯ２循环燃烧方式下污染排放的综合治理技术奠定了基础。