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张崇仁 《固体电子学研究与进展》1987,(2)
本文指出,对扩散pn结的正面入光结构,突变结理论有一定局限性。由于p~+区内杂质浓度的分布,在扩散区中存在十分强的自建漂移场,因而光生载流子将在自建场的作用下漂移进pn结内。由于载流子的漂移速度V_d远大于扩散速度V_f,因此可制得性能优异的PIN光电二极管,制作工艺比背面入光结构简单。已制得光电响应时间低达80ps的正面入光PIN二极管。 相似文献
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<正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE 相似文献
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张崇仁 《固体电子学研究与进展》1997,17(1):82-86
报导了脉冲输出大于1W的8mm体效应二极管,给出了器件结构和参数设计及其电参数研究。器件最佳性能为36.5GHz下,脉冲输出功率1.5W。用于8mm脉冲锁相放大器中,获得了增益13dB,输出大于0.66W,带宽大于1.5GHz的结果。 相似文献
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5.
本文介绍了应用直接带隙GaAs和间接带隙AlAs构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件,概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在8mm波段输出320mW连续波功率,最高振荡效率8%,脉冲工作时输出功率达2W,效率10%,然后着重介绍该器件的振荡频率,输出功率随偏压的变化关系,突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构,由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。 相似文献
6.
本文通过对正面光照型(由p~+-InGaAs层注入光子)和背面光照型(由n~+-InP层注入光子)两种结构的比较,讨论了高性能正面光照型InGaAs PIN光电二极管的设计原则和理论模型.重点分析了器件反向I-V特性、量子效率、脉冲响应时间等问题.所研制的器件性能如下:在工作偏置V_(op)=-5V时,暗电流密度J_D=2.5×10~(-6)A/cm~2;结电容C_j=0.7pF;量子效率η=85%(λ=1.3μm);脉冲响应时间△τ=100ps 相似文献
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