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1
1.
一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器
总被引:1,自引:0,他引:1
张红
高炜祺
张正璠
张官兴
《微电子学》
2006,36(3):337-339,343
介绍了一种10位CMOS逐次逼近型A/D转换器。在25 kSPS采样频率以下,根据模拟输入端输入的0~10 V模拟信号,通过逐次逼近逻辑,将其转化为10位无极性数字码。转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器。该转换器采用3μm CMOS工艺制作,信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB。
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