光诱导雄黄矿物同质异象变化的显微成像拉曼散射研究

利用拉曼光谱研究了激光照射诱导雄黄的同质异象变化,这些结果证实了下面的反应：由于As—As键相对较弱,首先As—As键被破坏,有1个S原子加入到As—As键中,形成As—S—As键。此时由As₄S₄(Realgar类型)变化为As₄S₅相,而As₄S₅处于不稳定状态,As₄S₅相变化为 Pararealgar时有1个S原子从As—S—As键中释放出来。释放出来的S原子又加入到另外1个As₄S₄(Realgar)中,引起As₄S₄(Realgar)相变化为As₄S₅,As₄S₅进而分裂为1个S原子和As₄S₄(Pararealgar类型)。照射促进雄黄经由 As₄S₅ 分子被转换成副雄黄。     

CdSnAs_2的基本反射光谱

A~(Ⅱ)B~(Ⅳ)C_2~Ⅴ三元化合物,作为一类具有应用前途的新型半导体材料,近来引起了人们的注意。这是因为它们在物理化学性质、电学性质等方面与相应的等电子系列的Ⅲ-V族化合物半导体有很多相近的地方。特别是 CdSnAs_2 已被人们作了较多的研究,由于具有高值迁移率而受到极大的重视(霍尔迁移率μ_e=22000—25000厘米~2/伏·秒)。     

K_2ZnCl_4晶体中OH~-杂质的存在形态及其红外光谱的研究

通过红外光谱、差示热分析谱和核磁共振谱研究了K_2ZnCl_4晶体中OH~-的存在形态.在实验中观察到存在两种不同形态的OH~-,并就其对晶体物理性质的影响作了讨论.     

应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究

用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.     

FRANZ-KELDYSH OSCILLATION FROM THE SPACE CHARGE REGION OF MBE GaAs FILMS

We have investigated doped MBE GaAs films using photoreflectance (PR) spec-troscopy. Special spectral structures have been observed in the vicinity of the funda-mental band gap, which are quite different from the Franz-Keldysh oscillation (FKO) from uniform electric fields under flatband modulations. Numerical analysis has been performed for FKO from electric fields in the space charge region under non-flatband modulations. Some typical FKO line shapes are illustrated. For moderately doped samples the calculated line shapes are basically consistent with experiments. The surface electric field and the Fermi level pinning have also been deduced from exper-iments.     

Cu2O和Ge的基本反射光谱——两种不同性质的反射带结构

本文在室温下测量了Cu₂O和Ge的基本反射光谱(0.22—1.00μ);研究了区分激子反射带结构和带际跃迁反射带结构的实验方法。光学抛光处理晶体表面对反射光谱中激子结构的影响极大,但对带际跃迁结构的影响不大。确定了Cu₂O紫外反射带的带际跃迁性质。讨论了Cu₂O和Ge的基本反射光谱和能带结构的联系。特别注意了Ge的反射光谱中的一些弱结构和能带结构的联系。工作中也涉及了晶格的有序度和能带结构的联系和吸收气氛影响短波反射带“下塌”的现象。     

Cu_2O室温电调制反射激子光谱

本文用电解液电调制反射谱方法;研究了室温下Cu_2O的青系蓝系激子谱.实验结果用最小二乘法对Aspens的理论进行了曲线拟合.将拟合结果与低温和室温下的反射、吸收谱数据进行比较,得到在电解液电反射谱中,不仅有青系.系n=1的激子效应,而且也包含n=2的激子效应.文中也做了不同抛光表面样品的电反射谱;发现它们有显著不同的光谱特征.     

从基本反射光谱研究金刚石型和闪锌矿型半导体的能带结构

本文利用基本反射光谱资料,导出了二十多种金刚石型和闪锌矿型半导体的导带结构。指出了导带结构上的一些特征及其与元素周期表之间的联系。着重分析了反对称势对能带结构的影响,并找到了闪锌矿型和金刚石型半导体能带结构之间的内在联系,从而更好地说明了各个闪锌矿型半导体能带结构上的特殊性。     

In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。     

聚合物电致发光器件工作层热效应的喇曼光谱研究

以喇曼光谱和红外测温仪为表征手段,研究了聚合物电致发光器件在施加不同电流密度的工作条件下器件内部热效应对器件老化的影响.通过实验得到器件内发光层的斯托克斯喇曼信号和反斯托克斯喇曼信号强度的比值,代入波尔兹曼方程计算得到该层对应的温度,从而达到精确测量器件内部工作温度的目的.通过对器件施加0～169 mA/cm2的电流密度,发现器件内部工作温度逐渐升高,最终达到有机层的玻璃化转变温度后,发光层材料发生相变,变成游离状的液态,这种状态不稳定,造成发光层材料的局部缺陷,使得器件阴阳极短接导致器件短路,从而发光失败.实验表明喇曼光谱是一种探测薄膜器件内部工作层温度的有效手段,