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Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性 总被引:13,自引:7,他引:6
报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性.实验证明:室温下,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性,反向漏电流较小,最大跨导可达47mS/mm;经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善,而且器件饱和压降明显降低,说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏. 相似文献
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描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件. 相似文献