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1.
主要介绍AUTHORWARE下多媒体教学课件的网上发布技术路线与实践  相似文献   
2.
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应:37Ta+15SiO2=5Ta5Si3+6Ta2O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3、Ta2O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.  相似文献   
3.
4.
在交联聚苯乙烯微球表面实现苯基卟啉的同步合成与固载   总被引:2,自引:0,他引:2  
以键合有对羟基苯甲醛(HBA)的交联聚苯乙烯(CPS)微球HBA-CPS、苯甲醛和吡咯为反应物, 采用Adler方法, 实现了苯基卟啉(PP)在CPS表面的同步合成与固载, 制得了固载有苯基卟啉的微球PP-CPS. 研究了卟啉同步合成与固载过程的影响因素, 同时进行了微球PP-CPS与钴盐的配合反应, 制备了固载有钴卟啉(CoP)的功能微球CoP-CPS, 初步考察了其对分子氧氧化乙苯的催化活性. 实验结果表明, 在苯基卟啉同步合成与固载的反应过程中, 催化剂的酸性与溶剂的极性是两个主要的影响因素, 使用强极性溶剂与pKa在2.8~3.4范围的酸, 微球PP-CPS表面的苯基卟啉固载量高. 微球CoP-CPS对分子氧氧化乙苯的反应具有明显的催化活性.  相似文献   
5.
6.
从现在的电话信号要过渡到将来的宽带信号,为了构成高效传输的数字网络,开发了包括有网络适应性强的新式同步接,工于1988年秋纳入国际标准,当前正采用新式同步接口组建数字网络。  相似文献   
7.
ULSI铜互连线技术中的电镀工艺   总被引:7,自引:3,他引:4  
通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求  相似文献   
8.
以注氮SiO_2作为铜互连技术中的新型阻挡层   总被引:6,自引:3,他引:3  
采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 ,该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用  相似文献   
9.
ULSI中铜互连线技术的关键工艺   总被引:7,自引:0,他引:7  
张国海  夏洋  龙世兵  钱鹤 《微电子学》2001,31(2):146-149
简述了ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况,并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取、铜淀积工艺的研究及化学机械抛光技术的平整度问题等一系列关键工艺作了较系统的分析与探讨。  相似文献   
10.
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