氢掺杂单层石墨体系的晶格动力学研究

采用密度泛函理论研究了氢掺杂单层石墨（graphene）体系,并采用密度泛函微扰理论方法计算了体系局域振动模（LVMs）.结果显示,高频位置的LVMs数目与缺陷中氢原子数相等,而不同掺杂类型的LVMs频谱位置各不相同.研究结果及分析表明,LVMs测量是评估质子辐射下石墨样品的替位氢掺杂类型及其含量的有效方法,该方法可推广应用于研究其他掺杂体系. 关键词： 石墨 局域模式 晶格动力学     

有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制

本文经大量实验和多年工作实践，得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度，HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律现象进行理论分析。最后文章也阐述了有理层图形外延片表面HCl腐蚀不利一面。     

双外延材料选取实验——400兆50瓦硅大功率管外延材料探讨

1.双外延材料选取原则400兆50瓦硅大功率管选用外延平面工艺制作,对外延层提出了要求.首先要求BV_(ceo)较高,这就要求外延层的电阻率高,厚度厚些为好.但同时要求大电流工作时h_(FE)和f_T高,这又要求外延层的电阻率低,厚度薄些为好.这对外延层的要求是一对矛盾.如何调和这对矛盾是外延材料选取的中心环节.根据外延平面工艺的特点,分析BV_(ceo)更多地受表层电阻率的限制,而大电流下工作的h_(FE)和f_T特性主要取决于正对发射区电阻率,如图1斜线部分.所以我们考虑选用n~-/n/n~ 的双外延结构来调和这对矛盾.