半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异

利用ＳＥＡＭ技术对半导和非半导性的ＢａＴｉＯ３陶瓷材料进行了电声成像观察研究．在半导性的这种材料电声成像中，由于掺杂的作用削弱和屏蔽了样品本身电学性能参数变化对电声像衬度的贡献，使得热波耦合机制起到主要作用；在非半导性的这种材料电声成像中，其电学性能参数的变化决定了电声像衬度的不同．     

砷化镓半导体外延层的电子声成像

本实验利用扫描电子声显微镜对ＣａＡｓ半导体外延片生长缺陷进行了电子声成像。通过分析不同条件下获得的电声图像，讨论了ＣａＡｓ半导体外延片在电声成像中其电声信号的产生机制。实验结果显示这种成像技术在半导体材料微观分析与评价中具有巨大的应用前景。     

扫描电声显微镜图像质量的提高

本文建立了数字电声像的采集装置。在扫描电声显微镜系统中采用了数字扫描发生器，代替了原来的模拟扫描发生器，从而实现由计算机控制电子束在试样上的扫描。通过数字图像处理，明显提高了电声像的信噪比，改善了电声像的质量。新系统还可以方便地对电场的像进行优化、储存和打印处理。     

GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究

本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。     

富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长

本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_1-xSb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液相外延生长出了优良的AlGaSb外延层。     

Si3N4陶瓷和ZrSiO4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学…

本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像的能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布，实验结果证实在陶瓷材料中的维氏压痕所引 残余应力场是吾弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥ     

Si3N4陶瓷和ZrSiO4复相陶瓷维氏压痕残余应力分布的扫描电子声学显微术观察

本文利用扫描电声显微术（ＳＥＡＭ）对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷和３０ｖｏｌ％ＳｉＣ（ｗ）／ＺｒＳｉＯ４复相陶瓷中由维氏压痕引起的残余应力分布进行了电声显微像观察。比较了原位获得的二次电子像和电声像，表明电声像能够揭示样品的表面和亚表面的残余应力场分布。实验结果证实在陶瓷材料中由维氏压痕所引起的残余应力场是呈弹－塑性交替分布的区域，在维氏压痕的中心以及由压痕引起的裂纹对角线的端点是应力分布的集中区，同时显示ＳＥＡＭ技术在对陶瓷材料中残余应力场分布的研究中是一种有力的工具。     

扫描电子声显微镜在半导体材料分析中的应用

本文利用国际上近几年发展起来的一种新型显微成像工具──扫描电子声显微镜（ＳＥＡＭ－ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）对几种类型的半导体材料进行了电子声成像观察与研究．文中简述了扫描电子声显微镜的电子声成像机理和其工作原理．从获得的电子声图像上，反映出扫描电子声显微成像技术在对半导体材料的亚表面缺陷和掺杂分布方面有着直接观察与显示的能力．同时与相应位置所获得的二次电子像进行了比较，显示出了电子声显微成像技术的独特之处和潜在的应用价值．