超导Josephson结直流Ⅰ-Ⅴ特性的数值计算

为了研究超导Josephson结的性质,选用四阶龙格-库塔法对RSJ模型下单个Josephson结及其阵列以及微波辐照下Josephson结的直流Ⅰ-Ⅴ特性进行了数值计算,并将模拟结果与实验结果进行了比较.     

4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析

用MEDICI软件对金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外(UV)探测器的I-V特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析,并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响.结果表明,室温下该探测器的暗电流线性密度达到10-13A/μm,且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级;探测器的光谱响应范围为200~400 nm,在347 nm处响应度达到极大值;增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度;当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响,而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大.     

基于单片机STC89C52的无线可见光发射机

白光LED在提供室内照明的同时可被用作通信光源进而有望实现室内无线高速数据接入, 并有望成为下一代高速无线通信的模式。利用KEIL软件实现了基于单片机STC89C52的无线可见光发射机的设计, 采用脉冲位置调制(PPM)编码方式对数据进行了调制编码, 并通过电路搭建和实验测试验证了该系统的可行性。     

基于单片机STC89C52的无线可见光发射机

白光LED在提供室内照明的同时可被用作通信光源进而有望实现室内无线高速数据接入,并有望成为下一代高速无线通信的模式。利用KEIL软件实现了基于单片机STC89C52的无线可见光发射机的设计,采用脉冲位置调制(PPM)编码方式对数据进行了调制编码,并通过电路搭建和实验测试验证了该系统的可行性。     

激光辐射下约瑟夫森结的直流Ⅰ-Ⅴ特性

研究了激光辐照下约瑟夫森结的直流Ⅰ-Ⅴ特性变化,并对Ⅰ-Ⅴ曲线下移的实验结果进行了分析,认为是光拆库柏对效应所致.该结果为发展一种新的可见光探测器提供了思路.     

超导Josephson结直流I-V特性的数值计算

为了研究超导Josephson结的性质,选用四阶龙格-库塔法对RSJ模型下单个Josephson结及其阵列以及微波辐照下Josephson结的直流I-V特性进行了数值计算,并将模拟结果与实验结果进行了比较.     

电子通讯设备的可靠性设计技术探讨

介绍了保障可靠性指标的设计技术、电磁兼容设计技术、热设计技术、耐环境设计技术和软件可靠性设计技术等在电子通讯设备中的应用。     

Stability,elastic anisotropy,and electronic properties of Ca_2C_3

The systematic investigations of the mechanical, elastic, and electronic properties, and stability of the newly synthesized monoclinic C2/m-Ca_2C_3 are performed, based on the first-principles calculations. Ca_2C_3 is found to be mechanically and dynamically stable only from 0 GPa to 24 GPa. The elastic anisotropy studies show that Ca_2C_3 exhibits the elastic anisotropy increasing with the augment of pressure. Furthermore, using the HSE06 hybrid functional, the electronic properties of Ca_2C_3 under pressure are calculated. The structure can be regarded as a quasi-direct band gap semiconductor, and the pressure-induced direct-indirect band gap transition is studied in detail.     

用于紫外探测器的AlGaN/GaN异质结构的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触特性

采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触. 分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM)对其电阻率进行了测试. 当Ti(10nm)/Al(100nm)/Ni(40nm)/Au(100nm)金属体系在650℃高纯N2气氛中退火30s时,测量得到的最小比接触电阻率为1.46E-5Ω·cm2. 并制备了Al0.27Ga0.73N/GaN光导型紫外探测器,通过测试发现探测器的暗电流-电压曲线呈线性分布. 实验结果表明在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上获得了好的欧姆接触,能够满足制备高性能AlGaN/GaN紫外探测器的要求.     

用于紫外探测器的AlGaN/GaN异质结构的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触特性

采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM)对其电阻率进行了测试.当Ti(10nm)/Al(100nm)/Ni(40nm)/Au(100nm)金属体系在650℃高纯N2气氛中退火30s时,测量得到的最小比接触电阻率为1.46×10-5Ω·cm2.并制备了Al0.27Ga0.73N/GaN光导型紫外探测器,通过测试发现探测器的暗电流.电压曲线呈线性分布.实验结果表明在Al0.27 Ga0.73N/GaN异质结构上获得了好的欧姆接触,能够满足制备高性能AlGaN/GaN紫外探测器的要求.