雷达接收机综合测试系统研究

雷达接收机参数综合测试系统采用可编程逻辑器件,简化了电路结构,增强了系统设计的灵活性和可靠性,降低了体积与成本。应用表明,该系统能对雷达接收机进行自动测试和分析,大大加快了雷达系统的研制进度。     

复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。     

Experimental Studies on Thermal and Electrical Properties of Platinum Nanofilms

We experimentally studied the in-plane thermal and electrical properties of a suspended platinum nanofilm in thickness of 15 nm. The measured results show that the in-plane thermal conductivity, the electrical conductivity and the resistance-temperature coefficient of the studied nanofilm are much less than those of the bulk material, while the Lorenz number is greater than the bulk value. Comparing with the results reported previously for the platinum nanofilm in thickness of 28 nm, we further find that the in-plane thermal conductivity, the electrical conductivity and the resistance-temperature coefficient decrease with the decreasing thickness of the nanotilm, while the Lorenz number increases with the decreasing thickness of the nanofilm. These results indicate that strong size effects exist on the in-plane thermal and electrical properties of platinum nanofilms.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

苹果蠢蛾性信息素E,E-8,10-十二碳二烯-1-醇的立体选择性合成

苹果蠹蛾(Laspeyresia pomonella)鳞翅目小卷蛾科,是世界上最严重的蛀果害虫之一.主要危害苹果、梨、海棠、杏等果树.苹果蠹蛾的原发生地为欧洲,在我国最早发现于新疆维吾尔自治区,曾被农业部和新疆维吾尔自治区列对内检疫对象,是当前重点防治的蛀果害虫之一[1].利用性诱剂防治害虫有不污染环境,维持生态平衡等优点.苹果蠹蛾的性信息素为:E,E-8,10-十二碳二烯-1-醇[2].该信号化合物同时又是大豆食心虫性信息素的重要中间体.我们根据Schlosser-Wittig反应,采用ω-溴代辛醇三苯基膦和E-2-丁烯醛(反式巴豆醛),在苯基锂-溴化锂存在下,立体选择性合成了苹果蠹蛾的性信息素,立体选择性可达98%以上.合成路线如图1.     

集束实验针孔成像与仿真分析北大核心CSCD

在激光装置实验中,通过小孔成像原理可获取黑腔靶中发射的X光图像的时间积分。提出一种3倍放大的新型成像设备用于集束实验,通过在与靶轴线夹角30°方向安装带多层镜选能的成像设备从而获取低能和高能段的X光时间积分图像,观察腔壁的再辐射现象。开展了用于集束实验针孔相机的研制工作,包括光路设计与结构设计,通过离线进行测试,在线实验进行打靶考核。进行成像光路仿真,模拟计算了两种镜子的选能效果,并通过光路仿真得到了多层镜、滤片和谱分布对成像结果的影响。采用FLASH对实验辐射场分布进行仿真,作为成像仿真的输入。最后,将此设备获取的成像结果与仿真计算得到的结果进行比较,实验结果与仿真结果基本一致,得到了X光信号强度的分布情况,获取了理想的实验数据,加深了对内部物理现象的理解。由此,建立了针孔成像的仿真能力,能够对成像结果进行预判,指导针孔相机的设计。     

基于PRESENT算法的RFID安全认证协议

物联网中RFID技术的应用非常广泛,但是RFID系统的安全性却存在着很大隐患。在RFID系统中标签与读写器间的通信信道是最易受到攻击,传输数据的完整性与保密性得不到保障,因而需要加强RFID系统通信的安全机制。考虑到RFID系统的硬件条件与成本限制,需要建立一个适合RFID系统的安全认证协议,来解决在RFID系统中信息传输所遇到的安全问题。PRESENT算法是轻量级的分组加密算法,将PRESENT结合到RFID系统的安全认证协议中,形成了新的RFID安全认证协议PRSA(PRESENT based RFID security authentication)。此协议可以增强RFID系统的安全性而又不会占用过多的硬件资源,从而能够适用于低成本的RFID系统的通信安全。     

超临界流体萃取气相色谱法测定鱼肉中的毒死蜱残留

建立了利用离线超临界CO2萃取气相色谱(SFE-GC)测定鱼肌肉中毒死蜱残留量的分析方法。超临界CO2萃取鱼肌肉中毒死蜱的适宜条件为：温度100℃,压力41．370MPa,CO2流量为1mL／min,动态萃取30min,静态萃取时间15min,调节剂甲醇(添加量0．5mL),收集液丙酮。最小检出量为0．01ng;添加回收率为77.3％～105．1％;相对标准偏差(RSD)为2．4％～15．4％,符合残留分析要求。全程分析时间小于2h。     

侧向二氟取代酯类液晶的合成

有源矩阵液晶显示(AM-LCD)发明于上世纪70年代末,但真正应用是在上世纪80年代中期。目前,主要是薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD),利用这种技术实现了视频图象显示,主要应用于摄像机、便携式计算机和各种终端显示器。近几年来,垂直排列有源矩阵液晶显示技术(VA)得到了飞速的发展,已成为LCD发展的主要方向之一。