采用DMTI串联FFT的雷达信号处理系统

本文介绍采用DMTI串联FFT实现反地物杂波干扰的信号处理系统的初步研制结果。该系统采用了30级台劳加权,旁瓣抑制能力达60dB,主瓣加宽系数小于1.1。本系统探测导弹目标的分辨力达0.6Hz;探测飞机目标的分辨力达0.1Hz。     

航空遥感器姿态像移仿真分析

由于航空遥感器要求的分辨率愈来愈高,因此需要更为精确的像移补偿模型.本文针对拍照时飞机姿态角变化在遥感器像面处所引起的姿态像移,运用光线矢量与坐标系旋转相结合的方法建立遥感器姿态变化过程的数学模型.通过坐标系的旋转表示姿态的变化,根据遥感器姿态变化前后像面上各离散点的光线矢量之差,获得遥感器的姿态像移在像面上的大小与分布特征.运用该像移模型对遥感器姿态像移进行分析,提出减小姿态像移的工程措施.     

应变Si1-x Gex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Sil-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.     

考虑库仑散射屏蔽效应的Si1-xGex pMOSFET低场空穴迁移率模型

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGexpMOSFET反型沟道空穴迁移率模型。该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正。并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化。利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析讨论。通过模拟得出,增加组分x可以显著提高等效体晶格散射迁移率,从而可以提高PMOSFET的空穴迁移率。     

应变Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Sil-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.