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利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。 相似文献
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本文应用计及空间电荷效应的小信号薄电子注理论,建立了有切断区的注入式正交场放大器的物理模型,并导出了其增益及相移计算公式。式中包括了空间电荷效应、线路衰减及电子与波非同步的影响。切断区的作用可归结为引入了“切断跌落”及“切断相移”。由于切断区中存在着正交场空间电荷波增益效应,“切断衰减”有可能出现负值,从而成“切断增益”。最后,用零长度切断区模型分析了切断区位置对整管增益的影响。 相似文献
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分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型(IC)、λ/4相移折射率耦合型(QWS)及增益耦合型(GC)DFB激光器作为光源部分的激光器/调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性,在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析.GC型器件的调制频移特性与IC及QWS型器件基本相同,而GC型器件的单模选择能力比IC和QWS型器件高得多,特别在HR-AR镀膜情况下,单端光输出效率大为提高,且考虑到GC型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化 相似文献
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