激光对硅片掺杂和退火的研究

集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低温浅结掺杂。微波二极管、晶体管和太阳电池也需要突变结掺杂,浅结扩散。离子注入虽然已成为低温掺杂的重要方法,但必须解决它所引起的晶格损伤并使注入杂质电激活。我们试图用激光掺杂来制造浅结器件,并做了两个实验。 第一个实验是涂层掺杂。用这种方法可以制造零点几微米的浅结二极管,这一结果对研制微波二极管和浅结集成电路具有重要意义。第二个实验是用激光去退火涂层热扩散片。结果表明,激光退火后,高表面浓度扩散片进一步电激活,使表面掺杂浓度更高;而低表面浓度扩散片由于激光退火时进行再分布,使表面浓度降低,方块电阻上升。     

用正弦光栅测定介质折射率的研究

氦—氖激光束经扩束后(或钠光准直后)投射到一块低频正弦全息光栅上,将发生0级+1级和-1级衍射,这些衍射光和光栅后的空间相干会形成一系列等间隔的与衍射光栅周期相等的干涉条纹,即所谓“自成象”。这些象可以通过一台读数显微镜改变调焦位置分别观察到。     

衍射法测量介质的折射率及其应用

简要介绍用光栅衍射法测量固体、液体介质折射率方法的原理、装置和实验结果,分析了这种方法的     

激光掺杂和退火的研究

本文报告了用激光照射涂层硅片进行掺杂制造突变 pn 结的实验;形成的 pp~+和 nn~+结构具有良好的欧姆接触。也给出了用激光退火热扩散硅片的实验结果。     

LiF：F2^-晶体调Q特性的研究

本文实验研究了LiF：F2^-晶体的调Q特性。测量了调Q旨激光输出的能量、动静比、脉宽、谱宽等．并从理论上进行了一些分析。     

用正弦光栅测定折射率

一、原理全息正弦光栅的透射系数是一个矩形波函数[透光率=k(1+sin kx)]。把它置于n_0=1的空气中,当振幅为A_0的单色平行光垂直入射后,将衍射为三个级次(图1)。正弦的周期结构导致±1级以上的衍射波消失。     

模式简并对多频振荡输出功率的影响

本文重点讨论了下列几个问题:1.多频振荡对提高输出功率的意义,2.模式的频率简并对功率输出的影响,3.模式的频率简并发生的条件,4.为什么输出功率与模式频率简并有关,5.激活介质对振荡频率的影响。     

受激喇曼散射与激光形成过程物理图象的比较

本文拟从受激喇曼散射作为产生高亮度相干光的一种辐射机制来进行讨论。通过与由受激辐射机制产生的高亮度相干光——激光或放大的自发辐射相对比,力图说明受激喇曼散射与激光形成的过程和条件极为相似。     

雾对毫米波传输衰减特性研究

本文在计算水介电常数的基础上,在瑞利近似的条件下,针对平流雾和辐射雾并结合能见度和含水量的关系,从频率、能见度、温度三方面对毫米波传输衰减进行了数值计算和仿真,最后给出了雾衰减的相关结论,对极高频电磁波在雾天气情况下的传输衰减研究有一定的参考价值。     

受激喇曼散射形成的过程和条件

本文按量子理论阐述了受激喇曼散射形成的过 程。认为当一束单色光照射到散射介质上时,产生受激喇曼散射的几率和自发喇曼散射的几率都存在,且两几率之比恰好等于散射光子的简并度。在介质中能否形成高亮度相干的受激喇曼散射决定于