AlGaAs中δ掺硅的研究

采用MBE工艺,研究在AlGaAs中δ掺硅,并生长了单δ层和多δ层两种结构。用电化学C-V和SIMS测量离化硅浓度和硅原子浓度分布。SIMS测量结果表明升高硅源温度比延长硅注入时间对提高掺杂浓度更为有效。C-V测量的最高浓度为5×10~(19)/cm~3,高于通常体掺杂浓度;FWHM为70～90A,降低衬底温度可望改善FWHM值。     

MBE Al源炉升温和降温工艺探讨

分析了在-196～660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩埚破裂的影响并不明显。