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随着现代教育事业的不断发展,对高校教学管理工作质量也提出了新要求。加强信息网络技术的运用可以推动“互联网+”教学管理发展进程,同时提升高校教学管理水平和为学生提供更好的服务。本文联系“互联网+”背景下高校加强教学管理信息化建设的必要性,对当前高校推进教学管理信息化存在的问题进行仔细分析,然后从增强信息化意识、打造管理平台、优化工作机制、保障信息安全等层面入手,提出几点有效的高校教学管理信息化建设策略,希望可以为相关工作人员提供参考。 相似文献
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CHIRALCEL OD手性柱直接拆分萘普生对映体 总被引:1,自引:0,他引:1
以CHIRALCELOD为固定相,建立了在正相条件下直接拆分萘普生对映体的HPLC方法。考察了流动相组成、流速、进样量和温度等因素对对映体分离的影响。优化后的色谱条件为:CHIRACELOD色谱柱(250mm×4.6mm,10μm);流动相:正己烷-异丙醇-冰醋酸(97∶3∶1,V/V);流速:1.0mL/min;紫外检测波长:254nm;柱温:35℃。在此条件下,萘普生对映体可得到基线分离。此方法可用于S-萘普生制备时酶膜反应器中萘普生甲酯动态拆分过程的跟踪分析。 相似文献
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适用于GSM900/GPS系统的双频段低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个适用于GSM900和GPS系统的并行式双频段低噪声放大器.电路采用1.8V电源供电,考虑到两级之间的匹配特性,运用了级间电感技术.介绍了输入、输出匹配电路的具体设计方法.运用Cadence中的SpectreRF软件进行仿真,结果表明,增益特性S21在两个频段均大于10... 相似文献
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激光诱导击穿光谱(LIBS)作为一项很有前景的元素分析技术,具有原位测量、远程监控等优势,而对蚊香样品的LIBS检测应用是一项较新的课题。为将LIBS技术实际应用于环境监测领域,实验中利用时间分辨的激光诱导击穿光谱技术对蚊香样品的激光等离子体光谱进行了测量和分析,确定出蚊香中Al、Mn、Mg、Sr、Zn、Ba、Na、Ca、Fe、Si和H的11种元素成分;基于等离子体局域热动力学平衡模型,计算了等离子体温度。利用自由定标分析方法计算了上述元素的相对含量。实验结果表明激光诱导击穿光谱技术可以用于有害元素的快捷有效检测。 相似文献
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阐述在窃听无人机节点存在的场景中,使用部署在周围建筑物上的IRS作为中继节点,通过优化IRS相位,使信号到达合法无人机端,同时降低窃听无人机的接收。仿真结果表明系统安全性提升。 相似文献
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发展了一种基于毛细管电泳(CE)-激光诱导荧光(LIF)检测的多个细胞内源激酶的抑制剂平行筛选及选择性评价方法。CE高效的分离能力和LIF检测器的高选择性,使得同时测试多个胞内激酶的活性成为可能。共4种细胞系、3种特异性蛋白激酶底物肽、2种选择性蛋白激酶抑制剂和1种非选择性蛋白激酶抑制剂用于方法的建立。特异性底物肽与细胞裂解液混合后孵育,被其相应的激酶选择性地磷酸化,利用CE-LIF分离检测磷酸化产物和底物肽。同时测定一个抑制剂对几种蛋白激酶的抑制活性,用于评价抑制剂的选择性。与传统的单靶标筛选模式相比,这种基于细胞裂解液的多靶标筛选方法能提供更多的信息,更加高效,且细胞裂解液作为一种廉价的激酶来源大大降低了筛选成本。 相似文献
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将嵌入式和Linux相结合,设计并实现了一套双路图像的采集与传输系统.该系统以CM-T3530核心板为硬件核心,首先根据系统要求编译并安装Linux嵌入式操作系统,并利用视频接口V4L2实现红外图像和彩色图像的双路采集.然后举例说明如何在核心板上利用有效的进程通信方式将两路图像的优势结合,最后将处理过的图像信息利用套接口传输到远程计算机上显示.该系统是小型无人机自主导航与控制的视觉导航以及以无人机为平台的灾害检测的基础,有很好的应用前景. 相似文献
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作为图的邻域离散度的一种推广,引入有向图的邻域离散度的概念.设D=(V,A)是一个有向图,V的子集S的开邻集和闭邻集分别定义为N^++(S)={u:vu∈A(D),v∈S}和N^+[s]=N^+(S)∪{s},D的一个割策略是V(D)的一个子集S使得N^+[S]在D中被删除.有向图的邻域离散度定义为S(D)=^max s v{ω(D/s^+)-│S│,S是D的割策略},这里ω(D/S^+):=D-N^+[S]而ω(D/S^+)表示有向图D/S^+的强连通分支数.讨论了有向图的邻域离散度的一些基本性质,研究了Kn和Ks,t的定向图的最小邻域离散度. 相似文献
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介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。 相似文献
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