络合滴定法测定硅铁中铝含量的改进

络合滴定法测定硅铁中铝量,GB4333.5—84中用甲基异丁基酮将铁萃取后,用硫酸铜标准溶液滴定过量的EDTA,加入氟化钠释放与铝络合的EDTA,再用硫酸铜标准溶液回滴,由于该法操作条件严格,费时,不能适用于一般中小企业生产控制要求.本文在试样以硝酸、氢氟酸溶解,高氨酸冒烟驱除氟后,采用氢氧化钠一氯化钠体系沉淀Fe(Ⅲ),过滤后加入过量EDTA,在pH 5.5条件下,用硫酸铜标准溶液滴定过量的EDTA,获得了令人满意的结果.1 主要试剂与仪器吡啶基偶氮萘酚(PAN)乙醇溶液:2g·L~(-1)乙酸-乙酸钠缓冲溶液:PH 5.5混合液:50g·L~(-1)氯化钠与10g·L~(-1)氢氧化钠溶液按1:1混合.对硝基酚乙醇溶液:2g·L~(-1)EDTA标准溶液:0.02mol·L~(-1),称取基准乙     

电源处理单元配置方案可靠性比较及选择

电推进技术是航天推进技术一个重要的发展方向.针对新一代通信卫星平台电推进系统的需求,对用于电推进系统的电源处理单元的4种备选配置方案做了介绍,并对每种方案的可靠性进行了计算.通过可靠性指标对比和对配置方案的分析,为方案优选提供了一些依据.     

MOCVD生长高反射率AIN／GaN分布布拉格反射镜

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N／GaN分布布拉格反射镜（DBR）。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99％。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3．3nm左右。样品的截面扫描电镜（SEM）照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的要求。     

Temperature Dependence of Emission Properties of Self-Assembled InGaN Quantum Dots

Emission properties of self-assembled green-emitting InGaN quantum dots （QDs） grown on sapphire substrates by using metal organic chemical vapor deposition are studied by temperature-dependent photoluminescence （PL） measurements. As temperature increases （15-300K）, the PL peak energy shows an anomalous V-shaped （redshift blueshift） variation instead of an S-shaped （redshift-blueshift-redshift） variation, as observed typically in green-emitting InGaN/GaN multi-quantum wells （MOWs）. The PL full width at half maximum （FWHM） also shows a V-shaped （decrease-increase） variation. The temperature dependence of the PL peak energy and FWHM of QDs are well explained by a model similar to MOWs, in which carriers transferring in localized states play an important role, while the confinement energy of localized states in the QDs is significantly larger than that in MOWs. By analyzing the integrated PL intensity, the larger confinement energy of localized states in the QDs is estimated to be 105.9meV, which is well explained by taking into account the band-gap shrinkage and carrier thermalization with temperature. It is also found that the nonradiative combination centers in QD samples are much less than those in QW samples with the same In content.     

醚链桥接芳香二醛及其缩氨硫脲的合成

一些缩氨硫脲及其衍生物对结核、麻风、风湿、疟疾、天花、真菌和某些肿瘤有一定的药理活性。缩氨硫脲的真菌活性是由于它的配位原子在生物体的新陈代谢中和真菌所需的金属离子螯合。缩氨硫脲具有与氨基酸、肽、蛋白质、酶、核糖核酸等生物配体相同的配位原子、被看作研究生物配体和痕量金属离子配位的优良模型。因为聚乙二醇醚链上的氧原子能与金属离子配位,所以在缩氨硫脲分子中连接上聚乙二醇醚链,增加缩氨硫脲分子中的配位原子种类和数目,也许能够增强螯合剂的配位能力,扩展其与金属离子的螯合围范。为此,我们将缩乙二醇二氯化物和苯环上带酰基的苯酚反应,制成化合物1_(a-h),然后再与硫代氨基脲缩合,得到醚链桥接的芳香醛缩氨硫脲2_(a-g)。它们的合成路线和主要结构如下:     

聚乙二醇醚链桥接缩氨脲和缩甲硫基氨基硫脲的合成

一些缩氨硫脲对结核,麻风、风湿、疟疾、天花、真菌和肿瘤有一定的药理活性。考虑到变更缩氨硫脲的硫代羰基上的硫原子为氧原子,或者变更其端基有可能改变其药理活性,在前文基础上,本文继续报道聚乙二醇醚链桥接缩氨硫脲和缩甲硫基氨基硫脲的合成。以缩二醇二氯化物合产物与甲酰基苯酚的缩合产物再与相应的氨基脲和甲硫基氨基硫脲反应,制得化合物1-8。     

极高跨导亚微米栅InGa As/InP结型场效应晶体管

InGaAs’InP结型场效应晶体管首次达到了260mS/mm的极高跨导,制作工艺采用能够获得亚微米栅(0.5μm)的化学腐蚀技术。利用自对准工艺,得到了极低的通道电阻。     

锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。     

优化GaN基发光二极管的电极

针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二极管电极的位置有关,而且依赖于器件的结构参数.以电流扩展不均为指标确定出这四种器件中最佳的电极位置分布,同时对最佳电极位置分布的器件进行了结构参数优化,结果表明当p型金属层方块电阻与n型GaN的方块电阻接近时,电流扩展均匀性最好,且p-GaN的接触电阻和厚度越小,电流扩展越不均匀.