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介绍了掺氧半绝缘多晶硅(O一SIPOs)及掺氮半绝缘多晶硅(N一SIPOS)薄膜的制备方法,生长条件及其在高可靠大功率开关三极管3DK106中的应用,以及主要电参数的测试结果,并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。 相似文献
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介绍了掺氧半绝缘多晶硅(O-SIPOS)及掺氮半绝缘多晶硅(N-SIPOS)薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管3DK106中的应用,以及主要电参数的测试结果,并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。 相似文献
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介绍了LPCVD法Si3N4膜与PECVD法SiO2膜的淀积工艺,以及Si-Si3N4-SiO2钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用,并指出了工艺的适用范围。 相似文献
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