宽带相干源强干扰下波束形成的新方法

相干信号子空间处理方法(CSM)是一种通过构造聚焦矩阵来进行相干源波束形成的方法。在自适应波束形成技术抑制干扰问题中,存在主瓣干扰时,副瓣电平增高、主波束变形且峰值偏移。本文基于一致聚焦的概念,利用一种可用于任意阵列的完全聚焦的方法,从而改善了DBF的估计精度,并且先在数据域实施干扰相消处理,再进行波束形成。该方法可以有效解决副瓣电平增高问题,仿真结果验证了该方法的有效性。     

一种用于Web服务预测的改进PPM模型

针对现有PPM模型预测准确率不够高,且无法处理好预测准确率与预测代价之间平衡的问题,提出了一种新的改进PPM模型（PD-PPM）用于Web服务预测,以便更实时地向用户提供个性化、智能化的服务。为了建立该模型,定义了Web服务编码结构、错误补偿矩阵（ECM）、子类服务PPM模型（SW-PPM）和大类服务PPM模型（PW-PPM）,并利用控制领域的PD控制算法,在SW-PPM模型与PW-PPM模型之间进行切换控制和参数调整;此外,还在ECM的基础上建立了错误补偿机制。经实验证明,PD-PPM模型能有效平衡预测准确率和预测代价之间的矛盾,并可以对预测准确率进行精准地跟踪控制,从而达到了预期的效果。     

InGaAs/InP界面控制对InGaAs薄膜电学和光学性质 的影响

研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进行细致研究.发现在InGaAs/InP界面之间插入一层利用As_4生长的InGaAs过渡层,能够显著改善上层InGaAs(利用As_2生长)外延薄膜的电学性能,其低温迁移率显著提高.同时荧光峰反常蓝移动消失,光学性质有所改善.研究表明利用As_4生长InGaAs过渡层,可显著降低As在InP中反常扩散,获得陡峭的InGaAs/InP界面,从而提高InGaAs材料电学和光学性能.     

基于双因素利率期限结构模型的国债市场利率行为研究

本引用一种新的计量经济学方法-高斯估计法，通过Gauss语言编程，使用国债市场短期利率数据对双因素连续时间利率期限结构模型进行了参数估计和预测，得出的结果较理想，从而能更好的了解国债市场短期利率行为特点。     

一种新型介质结构的超传输电磁特性研究

光入射到不同折射率材料的分界面时会很自然地产生反射现象. 在很多的工业应用中, 例如太阳能电池, 衬底的引入会在其表面产生反射损耗. 至今为止, 人们提出很多方法用来克服这一问题, 比较常见的有介质涂层、表面纹理、绝热折射率匹配和散射等离激元纳米粒子. 本文利用二维周期排布的亚波长级硅纳米圆柱阵列来降低衬底表面的反射. 结合辅助微分方程和时域有限差分法对该结构的散射特性进行系统研究, 结果发现, 纳米圆柱粒子能够产生类似于在金属表面发生的超传输现象, 这种现象的发生基于介质衬底耦合Mie共振机理, 该机理能在整个紫外到近红外光谱范围内将能量耦合到衬底中, 从而降低衬底表面的反射; 同时当散射结构被放置在具有高光学态密度的高折射率衬底附近时, 会产生较强的前向散射, 也能有效的减少后向散射即反射的发生. 基于降低衬底表面反射这一目的而言, 我们设计的结构可为实际太阳能电池及光学天线的设计提供参考.     

ARC网格中间件的研究与实现

首先将arc和现有的使用最为广泛的globus做了简单的比较,深入探讨的arc的性能优点以及各个组件之间的逻辑联系,并进一步的分析arc的实现要点以及在系统的运行过程中的注意事项,文章最后给出了arc目前还没有解决的问题,并提出了自己的看法和改进的意见。     

一种新型单片集成光谱传感器的波长定标方法

新型短波红外单片集成光谱传感器(MCSS)是光谱传感物联网的核心感知部件.提出了一种MCSS的波长定标方法, 根据相对光谱响应度和波长分配原则把相邻像素组成一个定标通道.分别采用MCSS和两款商用光谱仪测量标准物质的光谱.实验结果表明, 平均定标偏差为1.8 nm, 与一款具有相似FWHM和取样间隔的商用光谱仪接近, 能够满足实际应用的需要     

灯光对于高标清拍摄的对比影响探讨

科技发展伴随着技术革新.从电视制作的方向来看,时下电视节目制作已经完全由标清制作变为高清制作,并逐步向4K制作发展.制作技术愈发精良,最终得以展现的载体依然是呈现的画面.但是,呈现的画面中,除了涵盖制作技术外,还有非常重要的因素——照明艺术.伴随着制作技术的革新,灯光与高标清制作到底有怎样的关系,是我们需要研究探讨的问题.     

中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器

采用ICP (inductively coupled plasma etching) 刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式, 研制了像元中心距为10μm、截止波长2. 6μm的p-i-n型10×10元延伸波长In Ga As探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析, 显示了器件优异的暗电流特性.在室温下, -10 mV偏压时器件的暗电流和优质因子R0A分别为0. 45 nA和14. 7Ω·cm2, 量子效率可达到63%.为了证实像元中心距减小并未影响器件性能, 与同种材料中心距30μm的InGaAs焦平面阵列进行了对比分析.相似的实验结果进一步证明了工艺的可行性, 对今后实现高密度、大面阵延伸波长InGaAs探测器具有重要的指导意义.     

Influence of annealing temperature of ZnO film as the electron transport layer on the performance of polymer solar cells

The surface morphology of ZnO films at different annealing temperatures and the performance of polymer solar cells (PSCs) with ZnO as the electron transport layer are studied. The low temperature sol-gel processed ZnO film has smoother surface than that in higher temperature, which results in the best photovoltaic performance with a power conversion efficiency (PCE) of 3.66% for P3HT:PC61BM based solar cell. With increasing annealing temperature, the photovoltaic performance first deceases and then increases. It could be ascribed to the synergy effects of interface area, the conductivity and surface energy of ZnO film and series resistance of devices.