电阻栅MOSFET及其应用

介绍了ＲＧＭＯＳＦＥＴ的基本原理，以及它的器件结构和伏安特性，提出了它的互补结构，分析其输出特性，并简单介绍了其应用前景。     

Study on ultra-precision phase synchronization technique employing phase-locked loop

Microwave-to-optical phase synchronization techniques have attracted growing research interests in recent years. Here, we demonstrate tight, real-time phase synchronization of an optical frequency comb to a rubidium atomic clock. A detailed mathematical model of the phase locking system is developed to optimize its built-in parameters. Based on the model, we fabricate a phase locking circuit with high integration. Once synchronized, the fractional frequency instability of the repetition rate agrees to 6.35×10^-12 at 1 s and the standard deviation is 1.5 mHz, which indicates the phase synchronization system can implement high-precision stabilization. This integrated stable laser comb should enable a wide range of applications beyond the laboratory.     

CCD及其在象感领域的应用

介绍ＣＣＤ的基本工作原理，并详细介绍ＣＣＤ结构的发展，以及它在象感领域中的作用。     

一种新型的CMOS电流转换电路的设计

提出了一种新型的ＣＭＯＳ电流转换电路的设计方法。该电路功耗小，并且具有良好的电压和电流转换特性，其改进电路具有良好的静态电流控制特性，对工艺参数依赖性较低，适用于以电流模式工艺的烽模混合电路。     

大尺寸不锈钢-陶瓷能量输出窗

能量输出窗是超高频电子器件的一个重要部件,器件所产生的高频能量就是通过它传输出去的。因此,能量输出窗不但要具有良好的高频特性,而且还要具有良好的可焊性、真空气密性和热稳定性。就器件的结构而言,能量输出窗的一端要同不锈钢管壳进行氩弧焊接,另一端同无氧铜波导进行钎焊。目前,大多数超高频电子器件的能量输出窗,几乎都是采用可伐与95％氧化铝瓷的外套封结构。因为可伐与不锈钢、无氧铜的线膨胀系数相差很大,所以给氩弧焊和钎焊带来很大困难。不但封接间隙很难控制,而且焊接后产生很大的机械应力,甚至有时出现可伐开裂     

基于性能的FPGA再设计过程中的工艺映射

提出了一个基于性能的ＬＵＴ结构的ＦＰＧＡ再设计过程中的工艺映射算法。采用该算法不改变网络的拓扑结构，而是用特征函数以及对原布尔网络进行相应的约束实现电路的再设计，从而避免了在再设计过程中重新考虑电路的时延和布局布线结果。用于较大规模的电路有很好的实验结果。     

基于MCS—51的脱机扫描仪控制器

本文提出一种基于MCS－51的能脱机使用并控制多种手持式扫描仪的控制器的设计方法。该电路适用于各种常见的100-400DPI的手持式扫描仪，可完成对扫描仪的各种扫描控制，如30秒关机、拖动速率的判断、分辨率及灰度判断等，并且用RS232C与PC机进行通讯，完成对扫描图象数据的进一步显示、分析和处理，便于携带，便于进行现场的图象文字扫描处理。     

基于面积的LUT结构FPGA的工艺映射

提出了一种基于面积的针对ＬＵＴ结构ＦＰＧＡ的工艺映射算法。该算法在映射的过程中充分利用了网络节点的属性，通过计算节点的参数，采用线性规划方法给出网络的目标函数和约束条件，把一个电路网络的问题转化为纯数学的规划问题求解，映射问题转化为节点属性的分配问题，来得到最后的映射结构。与其它算法相比，该算法的映射结构较优。     

采用局部分子束外延技术的HEMT─HBT集成

介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与单一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同     

采用局部分子束外延技术的HEMT—HBT集成

介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。