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1.
采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO4)2(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析,结果表明,分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相,抑止了实验中的挥发问题;所生长的晶体为β-Yb:KYW,计算其晶格常数为a=1.063nm,b=1.034nm,c=0.755nm,β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱,结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰,计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词:
Yb:KYW
TSSG法
晶体结构
光谱参数 相似文献
2.
李建立 《数学的实践与认识》1989,(4)
当样本较小时,列联表分析需作精确概率检验.本文着重就三维列联表讨论多维列联表的精确概率检验方法,并讨论了可用观察频数直接算得概率值的条件. 相似文献
3.
4.
8阶开关电容滤波器MAX29X系列的应用设计 总被引:1,自引:0,他引:1
MAX29X是美国MAXIM公司生产的8阶开关电容低通滤波器,由于价格便宜,使用方便,设计简单,在通讯,信号处理等领域得到了广泛的应用。本文就其工作原理,电气参数,注意事项等问题作了讨论,具有一定的实用参考价值。 相似文献
5.
低信噪比直扩信号的周期特征检测与参数估计 总被引:6,自引:1,他引:5
本文介绍了直接序列扩频信号的周期特征检测与参数估计的方法。该方法运用周期谱理论,利用直扩信号所固有的内在周期性进行检测。利用修正的时间平滑周期谱算法(FAM),可以在周期频率轴上准确地估计出直扩信号的载频、码速率、伪码周期等参数。在此基础上提出了周期倒谱检测的方法。通过计算机模拟结果表明,该方法对低信噪比直扩信号具有很高的检测概率和参数估计精度。 相似文献
6.
粘度法预测聚乙二醇/壳聚糖体系的相容性 总被引:4,自引:0,他引:4
甲壳素在自然界的含量很大,仅次于纤维素,是一种颇具应用潜力的天然高分子.可由甲壳素经脱酸基化制得壳聚糖.由于其分子中存在氨基,因此能溶解干酸性水溶液中,并以聚电解质的形式存在,近来用壳聚糖制得的纤维膜应用于药物、食品等的分离和纯化、污水的处理,分离效果好,且不带入任何化学杂质.在壳聚糖纤维膜制作及与纤维的混纺过程中,都要探讨它与其它相应高聚物的相容性[1].我们以相容的壳聚糖(chitosan)/聚乙二醇(PEG)体系为例,采用粘度法讨论其分子间的相互作用,并预测它们的相容性.壳聚糖的基本结构为1实验部分1.1… 相似文献
7.
Yb3+:KY(WO4)2晶体生长与光谱性能 总被引:5,自引:4,他引:5
采用泡生法生长YbKYW晶体, 通过XRD分析确认所生长的晶体为β-YbKYW. TG-DTA测量结果表明, 晶体的熔点为1045 ℃, 相变温度为1010 ℃. 测得晶体红外光谱和拉曼光谱, 对其峰值所属振动的归属进行了指认, 并测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱. 结果表明, YbKYW晶体在940, 980 nm附近有很强的吸收峰, 主峰980 nm处的吸收截面积为1.34×10-19 cm2;该晶体在990, 1010, 1030 nm附近都有较强的荧光发射峰, 其中最强发射峰1030 nm的发射线宽高达16 nm, 有望作为可调谐激光器的增益介质. 计算得其1030 nm受激发射截面积为3.1×10-20 cm2. 相似文献
8.
通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 相似文献
9.
10.
利用金属有机化学气相沉积对GaN的高速生长进行了研究.结果表明,随着GaN生长速率的提高,其非故意掺杂的C含量也在提高,并且呈现出良好的线性关系.当生长速率由2μm/h增加至7.2μm/h时,利用SIMS测量发现其GaN中的C含量由2.9×1017增加至5.7×1018 cm-3 .研究表明,N空位的存在与C浓度之间存在紧密的联系。在高氨气分压生长条件下,N空位的浓度也在急剧下降。此时,与具有相近生长速率的常规样品相比,其C含量几乎下降了一个数量级。.光致发光光谱表明,黄带以及蓝带的强度与C污染存在线性关系.这个结果也证实了与C相关的缺陷是导致黄带以及蓝带发光的主要来源。 相似文献