一种高速低功耗的欠压锁定电路

设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3 μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。     

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。     

一种新型的锂离子电池开关充电电路

设计了一种新型的基于恒流/恒压充电模式的锂离子电池开关充电电路。在电池电压达到浮充电压时,实现了恒流充电向恒压充电的平滑切换。通过对恒流充电环路和恒压充电环路的设计,尤其是对充电电流采样信号放大电路和电池电压采样信号放大电路的详细设计,实现了电路的稳定工作。采用0.5 μm标准CMOS工艺对电路进行仿真,结果表明,电路工作在5 V的电源电压下,涓流充电电流为119.6 mA,恒流充电电流为1.209 A,恒压充电阶段的电池电压为4.195 V,并且实现了恒流充电向恒压充电的平滑切换。     

基于LLC谐振拓扑的高集成度LED恒流驱动电路

介绍了LLC谐振变换器技术的基本原理,结合TEA1713和LM3464,设计了一款多路输出谐振式路灯照明LED恒流驱动电源.该电路采用两个高集成度的控制器,提高了系统集成度,简化了外围电路;采用LLC谐振网络和动态电压调节,有效提高了系统整机效率;采用恒流网络的高精度线性恒流技术,有效提高了LED恒流特性.测试结果表明,输入电压为175～250V、输出功率为125W时,驱动电路的线性调整率小于0.01％,整机效率达到90％.     

一种基于电流比较的无基准电压Cap-less LDO

提出了一种基于电流比较的无基准电压型Cap-less LDO。将输出电压转换为电流后与参考电流比较,无需独立的基准电压模块,可降低功耗。在环路中插入了一个带有源反馈补偿网络的误差放大器,可增加环路增益,从而提升精度,在减少片上补偿电容的同时维持宽负载范围内的环路稳定性。该LDO采用65 nm标准CMOS工艺仿真验证,仿真结果显示,当负载电容为100 pF时,静态电流为9.4μA,片上补偿电容仅需0.25 pF,当输出负载在100μA和50 mA之间处切换时,恢复时间小于1μs,带有源反馈LDO的上冲和下冲分别为94 mV和21 mV,和不带有源反馈的LDO相比,上冲和下冲分别减少了28%和79%。     

∑△调制器中非线性直流增益建模

分析了运算放大器有限直流增益和非线性直流增益对∑△调制器的影响,通过双曲正切函数模拟运算放大器的输入输出特性,由积分器的递归解法构造了一个调制器模型.该模型可用于系统级仿真来预测非线性直流增益对调制器性能的影响,系统级仿真和电路级仿真证明此模型行之有效.     

开关DC-DC变换器的自适应占空比跨周期控制方法

针对脉冲跨周期调制(PSM)开关DC-DC变换器输出电压纹波较大的问题,该文提出一种新型的自适应占空比跨周期(ADPS)控制方法。在ADPS控制的变换器中,轻载下,每个周期变换器控制脉冲的占空比与该周期开始时输出电压与参考电压误差的平方根近似成正比;负载越轻,变换器的输出电压纹波越小。研究表明,ADPS控制的DC-DC变换器不仅具有比PSM控制的变换器更低的输出电压纹波,同时具有优异的鲁棒性和瞬态响应能力。     

一种高线性度,宽动态范围的电流模乘法器/除法器

本文提出了一种高线性,宽动态范围的电流模乘法器/除法器(current mode multiplier/divider,CMM/D)。该CMM/D基于二极管的对数-反对数性质实现,因此能达到更宽的动态范围。其输出电流与温度、工艺参数无关,且电路采用高精度电流镜,因此能实现高线性。此外,该电路不需要为输入信号提供额外的偏置电流,节省了功耗。通过正确的选择输入输出端口,在不改变拓扑结构的前提下,该电路可以实现乘法,除法功能。本文提出的CMM/D采用0.25μm BCD 工艺实现,芯片面积为0.26×0.24mm₂。输入电流从0到200μA变化时,结果显示该CMM/D的最大静态误差为±1.8%, 总谐波失真为0.4%。     

一种带瞬态响应增强的无电容型LDO

在传统无电容型LDO的基础上,设计了一种带瞬态增强的无电容型LDO。采用频率补偿方案,有效减小所需的片上补偿电容,节约了芯片面积。采用了过冲/下冲检测电路,用于检测负载瞬间变化时输出电压的变化,通过调节功率管栅极电压,提升了LDO的瞬态响应速度。采用0.13 μm标准CMOS工艺,对设计的瞬态增强无电容型LDO进行仿真验证。结果表明,片上补偿电容为2 pF时,系统静态电流为30 μA,当负载在1 μs内从1 mA变化到50 mA时,输出电压过冲为88 mV,下冲为50 mV,与不带过冲/下冲检测电路的LDO相比,分别提高了56%和54%。     

环网柜智能湿度监测及除凝露系统设计

为应对变电站户外环网柜设备的凝露问题,本文设计了一种用于环网柜设备内部凝露监测及清除的智能系统,该系统基于AM2320湿度传感器收集设备内部的湿度数据,并将数据传输至智能控制器,通过对环境湿度情况的智能诊断,微控制器将控制设备开始除湿操作或停止运行,实现对环网柜设备内部湿度实时监测的同时在必要时去除环网柜内部的凝露,保障环网柜设备内部的环境湿度始终处于安全范围内,避免由于凝露问题造成的设备故障,从而间接提高电力系统的供电可靠性。