光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时 ,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关 .如果氢氟酸的浓度保持不变 ,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度 .但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度 ,特别是多层多孔硅 ,很难严格控制其厚度 .为此 ,通过对多孔硅中载流子运动的研究 ,结合 BET方程中的 SBET定义 ,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式 .通过该理论公式 ,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度 .该理论公式得到了实验的验证     

开关电源监控电路版图优化设计

通过完成电路中的各功能模拟和焊盘的合理旋转，对开关电源监控电路和的版图进行了优化设计，在放置器件对考虑可能出向的拴锁，匹配和寄生，使其之间的连线最短，交叉最少，并对芯片面积进行了估算。     

光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度,特别是多层多孔硅,很难严格控制其厚度.为此,通过对多孔硅中载流子运动的研究,结合BET方程中的SBET定义,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式.通过该理论公式,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度.该理论公式得到了实验的验证.     

用反应离子刻蚀制备的纯位相片将高斯型激光束变换为均匀束

用光学变换一般理论设计出仅用两个纯位相片构成的光学系统可以将高斯型激光束变换为均匀束。本文对两个纯位相片的位相分布函数进行了计算并设计出10台阶量化的纯位相片。制备纯位相片的方法是采用超大规模集成电路中微细加工技术。实验结果表明能量转换效率高于95％,输出波形与理论计算一致。 关键词：     

基于SMIC 0.13μm CIS工艺的单光子TOF传感器像素设计

设计了一种基于SMIC 0.13μm CIS工艺的单光子飞行时间(TOF)传感器像素结构。针对传统单光子雪崩二极管(SPAD)结构的不足,采用p阱和STI共同作为保护环,避免器件提前发生边缘击穿从而减小器件面积,增加深n阱使有源区耗尽层变窄,从而降低雪崩击穿电压,增加硅外延层将器件的光谱响应峰值转移到所需要的光波长,以此提高器件对指定波长光的吸收能力。通过浮动SPAD阳极电压的方式,采用低压CMOS晶体管实现主动式淬灭电路从而快速地控制雪崩电流淬灭,以达到缩短死区时间的目的。通过SILVACO TCAD和Cadence IC设计套件对工艺、像素器件结构以及相关电路进行仿真,验证了该设计的可行性。     

68HC908JB8单片机及其在 USB外设系统中的应用

主要参数及引脚功能 MC68HC908JB8是采用HCMOS工艺技术生产的高性能单片机芯片,具有片内256B RAM和8KB的FlashROM结构,16位双通道TIM模块(每一通道配有输入捕捉、输出比较和PWM工作模式),以及兼容USB1.1协议低速通信功能.     

集成过抽样∑-△A/D转换器设计研究

运用CMOS集成电路设计处理对象为语音信号的二阶∑-△A/D转换器.采用全差动设计、共模反馈电路和开关电容积分器实现二阶∑-△A/D转换器.     

恒电位电解法制备光致发光掺钬多孔硅

研究了一种新的多孔硅掺稀土的电化学方法———恒电位电解，以及稀土硝酸盐支持电解质有机溶剂的新电解体系。这一方法和体系的特点是通过采用适当外加电压来控制电解产物，提高掺入的稀土浓度，提高发光强度，同时避免生成导致发光不稳定的产物，提高发光稳定性。优化了阳极氧化制备多孔硅的条件和阴极还原制备掺钬多孔硅的条件（钬化合物浓度、溶剂、离子强度、电解电压、时间），获得光致发光强度高于多孔硅的掺钬多孔硅。对多孔硅和掺钬多孔硅的光致发光机制进行了讨论。     

利用开关电容电路设计的可变增益滤波器

根据具体要求利用开关电容电路设计了一个中心频率为100Hz,增益从－14,－…0,…14分贝的可变增益滤波器并进行仿真,先利用程序进行相关的形关电容电路参数计算,再由已知的Z域传输函数利用算法算出特定电路的元件参数。