SoC仿真验证中多核技术的研究与应用

随着SoC设计规模的日益增大,结构逐渐复杂,仿真验证已经成为Soc设计过程中重要的环节,其所需时间往往成为整个设计周期的瓶颈,因而研究和应用能够加快验证仿真速度的技术变得愈发重要。Synopsys公司的仿真工具VCS所提供的多核技术就是利用目前计算机所拥有的多个处理器核并行工作,以达到对仿真速度的提升。通过在实际项目中分析和使用多核技术中的设计级并行仿真方法,证明了该多核技术的可行性和有效性。     

一种应用于IEEE 802.11 a_n的高线性度InGaP/GaAs功率放大器

A three-stage 4.8-6 GHz monolithic power amplifier(PA) compatible with IEEE 802.11a/n designed based on an advanced 2μm InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor(HBT) process is presented.The PA integrates input matching and closed-loop power control circuits on chip.Under 3.3 V DC bias,the amplifier achieves a ~31 dB small signal gain,excellent wide band input and output matching among overall 1.2 GHz bandwidth,and up to 24.5 dBm linear output power below EVM 3%with IEEE 802.11a 64QAM OFDM input signal.     

用于“北斗二号”导航系统的低噪声放大器设计

基于0.5 μm InGaAs pHEMT工艺,设计了一款应用于“北斗二号”导航系统的共源共栅低噪声放大器,其工作频率为1 575.42 MHz。该设计采用具有源端电感负反馈的电路结构,实现良好的输入匹配和反向隔离性能。输出端采用T-型匹配,支持大功率信号传输。测试结果表明,该低噪声放大器的增益S₂₁为17.9 dB,噪声系数NF为0.92 dB,输入反射系数S₁₁和输出反射系数S₂₂分别为-9.9 dB和-10.9 dB,在2.85 V电压下,功耗为22 mW,且芯片面积仅为0.46 mm²,满足北斗导航系统要求。     

用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计

提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现。由于衬底电阻率高达1 000Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0~2.4GHz频段内均小于1dB,隔离度平均大于35dB,功率处理能力也达到了36dBm以上,完全满足设计需求。     

Al替代含量对YBa2Cu3Oy体系局域电子密度和超导电特性的影响

研究了Ａｌ作铜位元素替代时ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ体系局域电子密度的变化，发现了存在于正交－四方相变区域附近的异常特征，利用电子弱局域化理论对实验结果给予了初步解释，讨论了这种电子弱局域化效应对超导电特性的影响。     

采用类比法 讲好静电场

采用类比法　讲好静电场康春雷（内蒙古气象学校呼和浩特０１００５１）在中专物理教学中，不少学生反映静电场这章难学、难懂、抽象．这章的物理公式多、概念多这是事实，若运用新旧知识的联系，采用类比法，比较鉴别求同辨异，容易使问题的讲叙过程简化和明朗．使学生加...     

YBa2Cu3O6.92超导体光电导效应的正电子实验研究

报道了对光辐照ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．９２材料的正电子寿命谱研究结果，给出了正电子寿命参数随辐照时间变化的基本特征，利用两态捕获模型对实验结果进行了初步分析，计算了局域电子密度ｎｅ和空位浓度Ｃｖ随辐照时间的变化，发现光诱导而产生Ｃｕ－Ｏ链区域电子结构的变化，证明Ｏ（１）和Ｏ（５）位之间的氧迁移和重新分布使得氧有序乃是光诱导电性的主要原因，为ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．９３体系光电导机理的理解提供了重要的正电子     

全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计

利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅(SOI)CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷(SP16T)天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。     

2.4GHz 0.35-μm CMOS全集成线性功率放大器设计

片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元.通过分析和对比各类功率放大器的特点,电路采用SMIC0.35-μm CMOS工艺设计2.4 GHz WLAN全集成线性功率放大器.论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大,驱动级采用共源共栅A类结构组成,输出级采用共源级大MOSFET管组成.电路采用SMIC 0.35-μ...