Introduction and Applications of a Generalized Intermediate Entangled State Representation

We introduce a generalized intermediate entangled state representation ｜β〉Λ to study the energy spectrum of an electron in a uniform magnetic field and a harmonic potential through algebraic calculatiOn. We find that the degeneracy of the energy levels is disappeared due to the existence of the additional potential. We make it clear that the eigenfunction is just the expression of eigenvector, defined in n Fock space, in ｜β〉Λ representation.     

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。     

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

为了证实某一研究结果的正确性,常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Ｈａｌｌ、Ｃ－Ｖ等电学测量技术同时对ＭＢＥ生长的ＺｎＳｅ：Ｃｌｍ,Ｎ薄膜中的载流子浓度进行评价研究,发现电８学法和光学法测量的结果可以很好地吻合,从而确认了ＺｎＳｅ宽禁带蓝绿色发光材料中较高的掺杂水平。     

p+-ZnSe∶N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.     

p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .     

极性晶体中的激子在磁场中的性质

本文采用Haga研究极化子、顾世洧研究激子时采用的方法讨论极性晶体中的激子在磁场中的性质.在忽略激子于反冲效应中发射的不同波矢的虚声子之间的相互作用的近似下,导出了激子的自陷能、电子-空穴有效作用势以及激子-声子- 磁场三者之间的耦合能.我们发现激子的自陷能与晶体的电子-空穴质量比有关,但是对于任意电子-空穴质量比,激子都是自陷的.我们还发现,由于晶格振动对激子运动的影响,使得激子在磁场中的抗磁性能移(diamagnetic shift)有所减弱.我们采用变分法对处于磁场中的激子-声子系统的基态能量进行了计算,并与Behnke的工作进行了比较.结果表明:在α<2的情况下,即使采用零级近似的有效势,已经能得到令人满意的结果.     

渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用

在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1－xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析．一方面,带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场,帮助少子收集,增加少子寿命;另一方面,渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率,使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化,总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用．     

Analytical Study of Nonclassical Behaviour for a Disturbed Non-Degenerated Parameter Amplifier

We analytically discuss the nonclassical behaviour for a disturbed non-degenerated parameter amplifier. The thermal Glauber-Sudarshan diagonal presentation （GSP） function for the system is derived. The detailed analysis on the threshold temperatures of both the individual photon subsystem and the complete photon-photon complex is presented. The effect of the photon-photon interaction on the threshold temperature is observed.     

p＋-ZnSe：N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.     

渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用

在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1-xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟,并与普通电池进行了对比分析.一方面,带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场,帮助少子收集,增加少子寿命;另一方面,渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率,使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化,总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用.