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1.
针对金属氧化物压敏电阻(MOV)在工作中出现的失效和燃烧事故,给出了几种在线监控MOV的方法,可在MOV失效前发出告警信号,及时处理,从而避免严重事故发生.通过实践证明监控方法有效并且规模应用.监控技术在MOV器件上实现技术和应用突破,供其他类型浪涌保护器件参考,以期带动整体保护器件的失效预防. 相似文献
2.
讨论了一种用于∑-△A/D转换器的固定系数半带(half-band)FIR数字滤波器,分析了其线性相位特性和低通滤波特性,给出了频率仿真结果,以及在Cadence设计系统中的电路和版图实现。 相似文献
3.
新年伊始,美国国家半导体(National Semiconductor Corporation)中国区总经理李乾先生在与北京媒体见面时回顾了2003年的经营成果,该公司在无线手机、电脑及服务器、显示终端和网络通信四大市场皆有出色的表现。展望未来,美国国家半导体将持续投入资金和人才研发模拟技术,为业内提供更高效能的模拟产品,推动全球半导体业的茁壮成长。 相似文献
4.
5.
6.
为了给程序设计作下基础,本文首先介绍了TI公司的TMS320VC5402和AIC(模拟接口电路)芯片TLC320AD50C的特点,最后着重介绍了利用DSK板上的TMS320C5402和TLC320AD50C实现音频采集并实时回放的软件设计过程,并利用CCS进行了模拟. 相似文献
7.
无线技术日趋复杂,其发展远远超出了摩尔定律的限制。当标准以前所未有的速度改变时,市场也在进一步分块运作,与此同时,全球化竞争也在不断加强。分析今天的通信产业,需求方需要以最少的资源开发出最多的产品。他们面对的是标准多样化、标准变化快、竞争日益加强、产品种类繁多、OEM厂商较难保持供应能力、运营商担心产品过时等不确定性。 相似文献
8.
9.
1 亚洲最高规格的通信盛会 2002年12月,当中国内地大部分地区已经进入了隆冬季节的时候,位于维多利亚港湾畔的香港仍然是一派暖意,以“源动亚洲,创新思维” 相似文献
10.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献