低功耗升压型PFM DC-DC转换器

设计了一种低功耗升压型PFMDC-DC转换器。提出了一种新颖的驱动电路结构,该驱动电路的预充电功能大大地缩短了功率开关管的开启响应时间,减小了"硬开关"损耗,提高了系统的转换效率,并且详细地阐述了系统工作原理以及PFM信号的产生过程。测试结果表明,系统正常工作时的静态电流为50!A,停机模式的静态电流小于1!A,Vin低至0.9V时系统仍能正常工作,限流值为350mA,输出电压高达34V,最高转换效率为85%。     

高频PWM DC/DC转换器的设计

设计了一种基于0.6μm CMOS工艺的高频PWM升压型DC/DC转换芯片.采用恒定频率、电流模式的控制结构以提供稳定的电压.本芯片在XFAB公司流片成功,测试结果表明,芯片的开关频率高达为1.2MHz,在输入电压分别为3.3V、5V的情况下能稳定地分别驱动4个、6个白光LED,输出电压分别为12.8V、18.6V.     

简并点优化的高性能带隙基准电路

在经典带隙拓扑的基础上,提出了一种高精度、低温漂带隙电压源电路的设计方案.同时,提出一种寻找并消除简并点的理论方法,用于指导启动电路的设计.设计的电路在XFAB 0.6μm CMOS工艺上流片成功.测试结果表明:在2.45～16 V电压范围内,该电压基准源的电压精度为1.202±0.2 mV;在-10～80℃范围内,温度系数为7.6～9 ppm/℃;最大功耗0.32 mW.     

Design of an LDO with capacitor multiplier

This paper presents a low quiescent current,highly stable low-drop out(LDO) regulator.In order to reduce capacitor value and control frequency response peak,capacitor multipliers are adopted in the compensation circuit with mathematic calculations.The phase margin is adequate when the load current is 0.1 or 150 mA.Fabricated in an XFAB 0.6μm CMOS process,the LDO produces 12.2 mV(0.7%) overshoot voltage while the current changes at 770 mA/100μs with a capacitor load of 10μF.     

扫描电镜观察人体中期染色体非显带和G显带的表面亚显微结构

本文主要探讨人体外周血淋巴细胞中期染色体不同程度的G显带在扫描电镜(SEM)下的表面亚显微结构及其差异。材料与方法:通过遗传咨询病人30例外周血淋巴细胞培养,常规方法制备染色体标本,Giemsa染色非显带和G显带(胰酶法),以不同显带时间制备了“刚显带”、“显带好”、“过显带”和“过消化”的染色体核型,在LM(光镜)下分别选好核型拍照。SEM的样品是采用未染色的染色体,用戊二醛和锇酸双固定,丙酮脱水,临界点干燥,离子溅射镀金。结果与讨论:在LM或SEM观察下,染色体的大体形态相同,但其表面结构有显著的差异:在LM下     

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.     

一种多功能的微处理器电源监控芯片的设计

介绍了一种多功能、低功耗微处理器电源监控芯片的设计方法。此芯片属于微处理器监控器件,集成有众多组件,提供了完整的微处理器的电源监控和看门狗功能,是理想的低成本电池管理方案,非常适用于电源电流为35μA的便携式、电池供电的应用中。文中分别对系统中各个模块做了介绍,特别介绍了带隙基准电压源和看门狗这两个重点模块。     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。     

一种低功耗时钟芯片的设计与实现

本文讨论了一种低功耗时钟芯片的设计与实现。通过分析CMOS电路功耗产生原因,给出了详细的低功耗实现方案。流片后测试表明该芯片工作电流0.17mA,满足低功耗要求。     

锂电池充电器中恒流恒压控制电路的设计

设计了一种采用开漏输出MOS管取代二极管的恒流恒压控制电路,对电路处于过渡区的原理进行了详细分析;通过在放大器内部引入负反馈的方式,优化了恒流向恒压过渡时的稳定性.电路采用德国XFAB公司的0.6 μm BiCMOS工艺模型,得到最终测试电压为4.192 V,充电精度为0.19%.