基质折射率对反常色散散射体散射特性的影响

基于Mie散射理论,给出了散射强度、散射截面及吸收截面的计算公式,并对不同基质中碳化硅材料在反常色散区中的散射特性进行了数值计算与理论分析。结果表明,在反常色散区中,随着基质折射率的增大,散射强度的峰位发生红移,峰值增大;散射截面和吸收截面的峰位发生红移,峰值减小,这为该材料在反常色散区中的光学理论、实验及应用方面提供了理论参考。     

不同色散区中光学截面的基质折射率效应研究

基于Mie散射理论,对不同基质中碳化硅材料在反常、正常色散区内的光学截面进行了对比计算与分析。研究表明基质折射率对不同色散区中的光学截面所起的作用完全不同,揭示了入射波长、基质折射率对光学截面影响的内在规律。研究结果为该材料光学特性方面的研究和应用提供了理论参考。     

基于Mie散射理论对砷化镓光子晶体安德森定域化研究

 基于Mie散射理论和低浓度近似,对砷化镓作为散射体光子晶体中的安德森定域化参量进行了理论计算,并分析了影响定域化现象的各种因素。结果表明:在散射体体积分数为10%,相对折射率大于3.8时,远红外区50~65 μm范围内出现严格的定域化现象;随着散射体半径的增大,定域化区向长波方向移动,且定域化参量先增大后减小。     

基质折射率对反常色散散射体散射特性的影响

基于Mie散射理论,给出了散射强度、散射截面及吸收截面的计算公式,并对不同基质中碳化硅材料在反常色散区中的散射特性进行了数值计算与理论分析。结果表明,在反常色散区中,随着基质折射率的增大,散射强度的峰位发生红移,峰值增大;散射截面和吸收截面的峰位发生红移,峰值减小,这为该材料在反常色散区中的光学理论、实验及应用方面提供了理论参考。     

基于Mie散射理论对氧化锡光子晶体光散射强度的研究

基于Mie散射理论和低浓度近似,对空气作为散射体,氧化锡作为周围介质的反蛋白石光子晶体的光散射强度进行了理论计算,并细致分析了各种影响因素。结果表明,前向散射和背向散射的变化规律基本一致,散射强度随散射体半径增大和入射波长减小而增大,但前向散射强度比背向散射强度大得多。该实验可为该材料的实验制备及应用等方面提供理论参考。     

中红外区基质折射率对碳化硅颗粒散射强度的影响

基于Mie散射理论,对不同基质中的碳化硅材料散射强度进行数值计算与理论分析,得到了中红外波段反常色散区和正常色散区中散射强度的分布特征,揭示了入射波长、基质折射率与散射强度分布的内在规律。研究结果为该材料在中红外区的开发和应用提供了理论依据。