微机械的三维微细加工技术

在微机械加工中,三维微细加工是不可缺少的。加工方式有复制掩模图使图形一次形成的方式和用聚焦光束等通过描绘使图形逐次形成的方式。这些方式被应用在立体微细加工或表面微细加工上,复制方式中,开发了作为立体加工的、可高速穿透蚀刻基板的低温高速反应离子蚀刻(RIE)技术和作为表面加工的投影光化学气相淀积(CVD)技术。描绘方式中,开发了作为立体加工的硅激光辅助蚀刻技术和作为表面加工的、可在非平面聚合物上形成金属配线的激光CVD技术。这些技术己被应用在微型传感器与微型致动器的制造上。     

存储器闪存领域展开低成本竞争通过集成ECC提高可靠性成为潮流

在成本竞争激烈的闪存领域，所发布的主要内容为使用多值技术、提高了集成度的数据存储用存储器。在DRAM和SRAM领域，发布的内容主要集中在高速化方面。在所有存储器中，片式ECC电路成为了此次会议的亮点。存储器的种类不同，使用ECC电路的目的也不同，ECC电路主要被应用于提高可靠性及数据的传输速率、降低待机时的消耗电流等方面。     

Pt羰基簇合物在NaY内的合成机理

利用IR，EXAFS, ~(13)CO同位素交换反应及与NO作用等手段研究了Pt羰基簇合物[Pt_3(CO)_6]~(2-)_n(n＝3,4)在NaY分子筛超笼内的合成机理．在氧化样品Pt~(2+)/NaY上300－373 K的还愿羰基化过程中，首先Pt~(2+)与CO反应生成PtO(CO)物种(波数σ_(CO)＝2110 cm~(-1))，然后聚集成“Pt_3(CO)_6”(σ_(CO)＝2112，1896和1841 cm~(-1))，最后生成深绿色的Pt羰基簇合物Pt_(12)(CO)_(24)]~(2-)/NaY(σ_(CO)＝2080，1824 cm~(-1))．“Pt_3(CO)_6”的羰基在室温下能迅速地与~(13)CO发生交换，而[Pt_3(CO)_6]~(2-)_n(n＝3,4)的羰基与~(13)CO的同位素交换即使在343 K也进行得很慢，室温下，NO能逐步破坏Pt羰基簇合物的层间和层内Pt－Pt键，得到中间物种“Pt_3(CO)_6”和PtO(CO)，同时在气相产生CO_2和N_2O．而由上述两中间物种出发，300－353 K温度下，在CO气氛中的还原羰基化又能可逆地得到原羰基簇合物．     

从《世阿弥传书》到《匠明》:能乐观演空间尺度体系的传承与演变

利用酰胺化反应在2,2,6,6-四甲基哌啶-1-氧自由基(TEMPO)分子的4位引入乙酰氨基和异烟酰氨基分别获得Acet-TEMPO和isoNTA-TEMPO分子.将Acet-TEMPO、 isoNTA-TEMPO和TEMPO分别与MIL-101(Fe)组成共催化体系,以苯甲醇选择性氧化为苯甲醛做模型反应,研究上述3种催化体系的催化性能.催化结果表明3种催化体系的催化活性顺序为:MIL-101(Fe)/isoNTA-TEMPO MIL-101(Fe)/Acet-TEMPOMIL-101(Fe)/TEMPO.通过对比实验和吸附实验表明isoNTA-TEMPO的吡啶官能团与MIL-101(Fe)的Fe簇配位作用是提高体系催化性能的关键因素.MIL-101(Fe)/isoNTA-TEMPO催化体系对各种芳香醇均表现出较好的催化性能,且催化剂能循环回收利用.     

基于关联规则和技术功效矩阵的企业技术创新机会发现和辅助决策方法

为助力科技型创新企业准确且快速地从外部捕获创新技术机会, 提出一种企业技术机会发现和辅助决策方法. 首先, 挖掘领域内的技术热点、技术重点和有潜力的技术作为领域技术创新机会. 然后, 通过关联规则分析领域技术机会和企业已有技术之间的相关性, 进一步结合技术掌握度和新颖度, 识别更适合企业的技术创新机会. 最后, 创新性地采用Sen-BERT语言模型和K-means聚类方法构建技术功效矩阵, 辅助企业从功能需求的角度进行技术创新决策. 以电动汽车领域为例验证了该方法的可行性.     

基于曲线拟合的信噪比估计校正方法

介绍了QPSK调制的DSSS接收机中基于矩估计的信噪比估计算法,以及在FPGA上实现该算法的关键技术.由于实现误差超出期望,运用了基于曲线拟合的校正方案.以估计幅度值和幅度差值作为自变量和因变量,运用曲线拟合工具获得信噪比估计值应有的修正误差.依据该修正值调整测试值,可使信噪比估计性能大幅提升.最后通过实测证明了校正算法的性能.     

等离子体填充盘荷波导高频特性分析

从麦克斯韦方程和流体理论出发，推导了填充磁化等离子体慢波结构的基本方程.在大磁场情况下，对等离子体填充盘荷波导的色散特性和耦合阻抗作了研究，结果表明填充等离子体使色散曲线上移，耦合阻抗提高.等离子体填充产生出模式谱非常丰富的周期性低频等离子体模式(TG模式).当等离子体密度增加到一定程度后，场模TM₀₁模的频率范围和TG₀₁模的频率范围相近，两个模式互相耦合产生出新的混合模G₁,G₂.如果相对论行波管工作在混合模上，将会产生新的工作机理. 关键词： 盘荷波导 等离子体填充 色散特性 相对论行波管     

An improved temperature-dependent large signal model of microwave GaN HEMTs

Accurate modeling of the electrothermal effects of GaN electronic devices is critical for reliability design and assessment. In this paper, an improved temperature-dependent model for large signal equivalent circuit modeling of GaN HEMTs is proposed. To accurately describe the thermal effects, a modified nonlinear thermal sub-circuit which is related not only to power dissipation, but also ambient temperature is used to calculate the variations of channel temperature of the device; the temperature-dependent parasitic and intrinsic elements are also taken into account in this model. The parameters of the thermal sub-circuit are extracted by using the numerical finite element method. The results show that better performance can be achieved by using the proposed large signal model in the range of -55 to 125℃ compared with the conventional model with a linear thermal sub-circuit.