Bi1.5Zn1.0 Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO₂修饰的Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO₂修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO₂修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5A/cm²降低到7.7×10^-7A/cm²,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10¹³cm^-2降低到9×10¹²cm^-2,迁移率从0.001cm²/（V·s）升高到0.159cm²/（V·s）.