CaCu_3Ti_4O_(12)-ZnNb_2O_6复合材料的介电逾渗及固相反应

以低εr的ZnNb2O6为基体,以高εr的CaCu3Ti4O12(CCTO)为增强体,研究了CCTO-ZnNb2O6复合材料体系的介电逾渗行为以及高温下的固相反应。结果表明:当CCTO体积分数超过51.0%时,εr突然跃迁,达到5600,表现为介电逾渗。CCTO与ZnNb2O6在900℃以上会发生固相反应,生成Cu0.5Ti0.5NbO4、CaNb2O6、Zn2TiO4及一种与CCTO衍射峰相似、晶格常数比CCTO略大的未知物质,分析认为该未知物质是Nb5+取代CCTO中部分Ti4+而形成的固溶体。     

SiO_2添加物对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构与介电性能的影响

采用传统固相反应法制备了不同SiO_2掺量的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO) 陶瓷材料,并研究了SiO_2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:高温烧结时,SiO_2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响.CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO_2含量的增多而相应减小.阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO_2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO_2的掺入而显著增大.分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因.