一种新型的自对准源漏接触技术

提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以在绝缘介质侧墙两旁形成一对金属的侧墙结构。这个侧墙连接底部的源漏区和上部的互联区,作为底层的金属接触引出。这个方法不仅减小了刻蚀接触孔的难度,且采用自对准的方法形成金属接触也减小了源漏接触的距离,提高了集成度。这项工艺集成技术尝试应用于0.5μm栅长MOSFET器件结构中,并仿真得到了良好的电学性能。