超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究

为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层。采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究。最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012O·cm和103量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性。     

浅谈达芬奇2K彩色校正系统在电影胶转磁视频系统中的应用

今年是网络发展年,其主要任务是建立有线数字电视技术新体系,积极推进有线电视数字化,开展有线数字影视业务。其中,建立节目平台是重中之重,它必须在提供基本节目的同时,也提供付费标准清晰度电视节目和高清晰度电视节目。而高清晰度     

高频印制电路基板材料

研究和开发具有低介电常数和高传输特性的高频印制电路基板,是印制板产业的重要技术发展方面。本文介绍了各种高频印制电路基板的特性。聚四氟乙烯系高频基板具有优良的介电常数及物化特性,具有广阔的潜在应用前景。     

镱薄膜传感器压阻灵敏度的研究

 采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器,在小于1 GPa压力范围内对未经任何处理和300 ℃真空热处理1 h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定,后者的压阻系数明显高于前者,并且大于箔式镱传感器的压阻系数,结合扫描电镜和电学性能测试分析,发现热处理有助于薄膜晶粒长大,降低薄膜电阻率,从而提高了镱薄膜传感器的压阻灵敏度。XRD测试分析结果表明,加压有促使薄膜晶粒长大的趋势。镱薄膜传感器制作工艺简单、性能稳定,在工业中具有广泛的用途。     

CO气体在5 000 K和25 GPa条件下的动力学研究

 利用第一性原理分子动力学方法,对炸药降解产物CO在温度5 000 K、压力25 GPa条件下的化学过程进行了研究。计算得到的最终产物主要由C₃O₂、CO₂和C₂O₂组成。通过对CO、C₃O₂、CO₂和C₂O₂组成的混合物体系的振动性质进行分析,发现计算得到的红外光谱与一些理论和实验结果一致;体系的径向分布函数表明,最终产物具有高密度流体的特征;同时还分析了CO、C₃O₂和CO₂的态密度。结果表明：CO在温度5 000 K、压力25 GPa 这一特定条件下的反应主要归因于高温高压下CO分子间的剧烈碰撞;在形成这些产物的过程中没有发现有明显的过渡态存在。     

金属薄膜附着性的改进

根据薄膜附着机理,综述了影响金属薄膜附着性的因素。通过引入中间过渡层,减少应力来提高薄膜与衬底之间的结合强度,改善金属薄膜的性能。适当的热处理不仅能消除内应力,增强界面反应,而且对薄膜的性能有一定的影响。     

变电站母线PT二次空开跳闸原因分析

本文主要探讨变电站母线PT二次空开跳闸的有关影响因素,系统而又详细的分析这些影响因素的关键控制点,最终全面的分析变电站母线PT二次空开跳闸的控制措施.     

阵列式薄膜锰铜计的动态压阻响应研究

 利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计,以氧化铝作为基片和绝缘封装材料。在结构上,4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布。51.72 GPa压力下的动态加载实验表明,4个计的压阻一致性好,无高压旁路效应,验证了薄膜锰铜压阻计动态测试的准确性和可靠性。     

Theoretical study on the structural,mechanical, electronic properties and QTAIM of CrB_4 as a hard material

Using the first-principles calculations based on spin density functional theory(DFT), we investigate the structure,elastic properties, and electronic structure of Pnnm-CrB4. It is found that Pnnm-CrB_4 is thermodynamically and mechanically stable. The calculated elastic properties such as the bulk modulus, shear modulus, Young's modulus, and Poisson's ratio indicate that CrB_4 is an incompressible material. Vicker's hardness of Pnnm-CrB_4 is estimated to be 26.3 GPa, which is in good agreement with the experimental values. The analysis of the investigated electronic properties shows that PnnmCrB_4 has the metallic character and there exist strong B–B and Cr–B bonds in the compound, which are further confirmed by Bader's quantum theory of atoms in molecules(QTAIM). Thermodynamic properties are also investigated.     

Structures and Phase Transition of GaAs under Pressure

A first-principles plane wave method with the ultrasoft pseudopotential scheme in the frame of the density functional theory （DFT） is performed to calculate the lattice parameters a and c, the bulk modulus B0 and its pressure derivative B0 of the zinc-blende GaAs （ZB-GaAs）, rocksalt GaAs （RS-GaAs）, CsCl-GaAs, NiAs- GaAs and wurtzite GaAs （WZ-GaAs）. Our results are consistent with the available experimental data and other theoretical results. We also calculate the phase transition pressures among these different phases. The results are satisfactory.