ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究

本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱

本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.     

ZnSe-ZnS多层量子阱光学双稳态器件

本文报道了以YAG三倍频激光为光源时,在用MBE生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料制成的F—P标准具光双稳器件上观察到的脉冲压缩效应。根据入射脉冲波形和透射脉冲波形得到了该器件的双稳回线。     

基于IPv6的WSN图像监控系统的设计与实现

为拓展无线传感器网络的应用,设计并实现了一种基于IPv6无线传感器网络的图像监控系统。系统在IPv6的环境中实现了红外传感器节点控制,图像传感器节点以ARM作为处理器,在嵌入式Linux中设计V4L程序实现采集实时图像,图像汇聚到网关后,网关利用多种Internet接入方式将信息返回到客户端。网络中融合了多种类型的数据,系统分别采用IEEE802.15.4和WiFi方式进行传输,可以提高网络传输效率与可靠性,并能够方便地用于入侵检测等多媒体图像监控方面。     

分子束外延生长p型ZnSe-ZnTe超晶格

一种p型应变层超晶格已用调制掺杂技术实现,这种超晶格材料是由不掺杂的ZnSe层和掺Sb的ZnTe层交替生长组成的,电学性质已由霍尔效应测量获得。p型应变层超晶格的空穴迁移率为220—250cm~2/V·s,空穴浓度为3—5×10~(14)/cm~3。     

安全协议SSL与SET的分析与比较

安全协议是目前电子支付技术安全问题中的热点，安全套接层(SSL)和安全电子交易(SET)是电子商务中支持支付系统的关键技术。本文分析了这两种协议的原理，并对两者的特点进行了对比，最后对安全协议在我国的发展趋势做出了预测。