抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP后碟形坑及蚀坑的影响

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中产生的碟形坑和蚀坑等缺陷,研究了在低磨料下柠檬酸钾(CAK)和FA/OⅡ络合剂协同作用对Cu/TEOS去除速率、碟形坑和蚀坑修正的影响.结果表明:加入质量分数为1％CAK后,TEOS去除速率增加了31.6 nm/min,Cu的去除速率无明显变化,说明CAK在不影响C...     

柠檬酸对CeO2磨料分散稳定性及抛光性能的影响

采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO₂磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si₃N₄)的去除速率选择性难以控制的问题进行了研究。分散实验结果表明,由于柠檬酸可以结合在CeO₂颗粒表面从而极大提高了CeO₂磨料的空间位阻,CeO₂溶液的分散稳定性得到提升,因此,与酒石酸、硝酸和磷酸相比,在CeO₂溶液中使用柠檬酸作为pH调节剂,可以使CeO₂磨料具有更小的粒径和较低的分散度以及使CeO₂溶液具有较高绝对值的Zeta电位。抛光实验结果表明,柠檬酸可以极大抑制Si₃N₄的去除速率,且对TEOS的去除速率影响较小,因此,使用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂能实现TEOS/Si₃N₄的高去除速率选择比。同时抛光后TEOS和Si₃N₄薄膜具有良好的表面形貌和低的表面粗糙度。     

超滤和活性剂协同作用对铜阻挡层CMP后缺陷的控制机理研究

在铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,由于工艺和材料等因素会产生划伤和沾污等缺陷问题,造成器件失效、良率降低及潜在可靠性等问题.研究了抛光液中活性剂及超滤工艺对CMP后缺陷的影响,提出了活性剂和超滤协同控制CMP后缺陷的作用机理.通过粒径和大颗粒测试仪表征抛光液粒径和大颗粒数的变化,通过扫描电子显微镜(SEM)和...     

考察文献活跃度特性的个性化引文推荐研究

本文通过将引文推荐问题转化为文献是否被引用的二元分类问题,发掘出影响文献被引用的关键特征,并依据这些特征提升了引文推荐的性能.在提取研究者的个性化引用偏好和常用的文献计量学特征的基础上,加入表征文献活跃度的特征指标,构建用以进行二元分类的特征库.利用Relief-F、RFE和LR3种方法从特征库中筛选出对文献是否被引具有重要价值的特征;利用朴素贝叶斯、SVM和Bagging3种分类器验证基于这些重要特征的引文推荐效果.实验结果表明,文献的活跃度特征、研究者的个性化引用偏好特征和文献对之间的主题相似性特征是提升引文推荐性能的关键因素.相对于基线方法,在这些关键特征上实施引文推荐,其准确率、召回率和Fl值分别提升了 6％、29％和26％.