云计算背景下网络安全及防范措施

<正>随着网络技术的快速发展，网络中充斥着大量的数据信息，通过云计算强大的计算能力，能够高效利用信息，提升信息分析效率，并且云计算的应用也在一定程度上促使传统网络架构模式发生变化。但是在云计算环境下，各种网络安全问题也随之出现，降低网络服务能力，甚至还会导致用户受到损失，对此，急需要加强云计算网络安全研究。文章对云计算内涵特点、网络安全等进行概述，分析云计算下网络安全面临的威胁，并提出云计算背景下网络安全的防范措施。云计算的出现不仅改变了传统计算机网络发展形式，而且还为人们的生活、工作提供了巨大的便利，     

外延用300mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究

研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷--体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺B Si片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小.研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素.     

全介质光栅在太赫兹波段的光调控特性

采用激光直写技术在100 μm厚的Si衬底上制备了全介质光栅结构, 利用近红外光抽运-太赫兹探测(near infrared pump-Terahertz probe)技术对该全介质光栅在THz波段的光谱响应及其光调控特性进行了测试, 最后结合电磁仿真结果, 对米谐振(Mie resonance)的形成机理和光调控机理进行了解释并对调控光作用下全介质光栅的电导率数值进行了估算. 研究结果表明: 在光栅与THz偏振垂直的情况下, 该全介质光栅在0-1.0 THz范围内有3个典型的米谐振峰且谐振模式各不相同; 随着调控光功率的增加, 3个谐振峰的谐振强度出现了不同程度的减弱, 其中第一个谐振峰的光调控幅度达到50%以上, 调控光作用下米谐振强度的减弱是由于光生载流子对入射THz波的吸收和散射导致了介质光栅内部感生电磁场减弱引起的. 上述工作对全介质超材料在THz波段的共振特性研究和相关光调控器件的研制具有重要参考价值.     

Electrical control of magnetism in oxides

Recent progress in the electrical control of magnetism in oxides,with profound physics and enormous potential applications,is reviewed and illustrated.In the first part,we provide a comprehensive summary of the electrical control of magnetism in the classic multiferroic heterostructures and clarify the various mechanisms lying behind them.The second part focuses on the novel technique of electric double layer gating for driving a significant electronic phase transition in magnetic oxides by a small voltage.In the third part,electric field applied on ordinary dielectric oxide is used to control the magnetic phenomenon originating from charge transfer and orbital reconstruction at the interface between dissimilar correlated oxides.At the end,we analyze the challenges in electrical control of magnetism in oxides,both the mechanisms and practical applications,which will inspire more in-depth research and advance the development in this field.     

一种免调谐窄带高温超导滤波器

研制了一种适用于超导子系统接收机前端的免调谐窄带高温超导滤波器.其中心频率为2287 MHz,带宽为8 MHz.该高温超导滤波器采用了10阶准椭圆(quasi-elliptic)函数型结构,并引入了2对改善带边陡度的传输零点.滤波器的计算机仿真是用Sonnet软件完成的.为了达到免调谐的目的,选用了一种结构简单的双折线型谐振器.此滤波器是在直径为2英寸、厚度约为0.5mm MgO衬底的双面超导薄膜上制作的.测量结果表明,该滤波器在未经调谐的情况下具有很好的性能:相对带宽0.35%,带外抑制>80 dB,插入损耗<0.2 dB,反射损耗<-15.5dB(通带7MHz范围之内).     

太赫兹近场成像技术及进展

太赫兹(THz)波具有能量低、穿透性强、频带宽等特点,因而太赫兹成像技术在无损检测、生物医药、安全检测等众多领域得到了广泛应用,在实际应用中如何提高太赫兹成像的分辨力变得越来越重要。由于太赫兹近场成像技术可突破衍射极限,获得分辨力为亚微米甚至是纳米量级的高质量图像,基于近场技术的高分辨THz成像技术相继被提出,并得到了进一步的应用。本文首先阐述了太赫兹近场成像的基本原理;其次总结了近场成像进展及增强方法;最后对太赫兹近场成像的未来进行了展望。     

晶体生长速度对硅单晶微缺陷影响的数值模拟

利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律。随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal originated particles,COP),以间隙原子为主的微缺陷区域逐渐减小,同时,间隙型微缺陷的浓度呈现不断减小的趋势,空位型微缺陷的浓度呈现不断增大的趋势。晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中间隙型微缺陷的浓度与空位型微缺陷的浓度近似相等的区域先增大,后减小。通过Cu缀饰实验和流体图案缺陷(flow pattern defect,FPD)密度测量,将所得微缺陷类型、浓度的实验结果与晶体生长速度对硅晶体微缺陷影响的数值模拟结果进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。     

不同物理形态阿奇霉素的远红外与太赫兹光谱鉴别研究

运用THz-TDS技术和Far-FTIR技术在干燥氮气和真空环境下分别测量了阿奇霉素干混悬剂、胶囊、片剂、分散片等不同物理形态的药品在0.2～5.0 THz波段的光谱。其中,阿奇霉素干混悬剂在0.2～15.0 THz波段内存在较为明显的吸收峰,且对比国产和进口产品的特征峰可以发现,国产药品在几个主峰上都表现出谱线增宽,且有部分多余小峰出现,可能是由于结晶度不纯和杂质引起的。而国产阿奇霉素胶囊、片剂、分散片则由于填充辅料、样品颗粒较大、样品含量少等原因致使吸收基线随频率增高而上扬,上述特征峰在0.2～2.7 THz波段发生不同程度的变弱和频移。同时,对不同浓度进口阿奇酶素干混悬剂与聚乙烯的混合物作了分析,根据浓度与吸收强度呈现的线性正相关关系,可以较为准确地分析出有效成分的浓度,从而实现对阿奇霉素类混合体系药品的质量检测和评估。     

基于简单二次函数模型的非单调信赖域算法

基于简单二次函数模型,结合非单调技术,建立了一个新的求解无约束最优化问题的非单调信赖域算法,并证明了算法的全局收敛性及超线性收敛性.数值例子表明算法是有效性的,适合求解大规模问题.