硅／硅直接键合制备p^＋／n^—和n^—／n^—结构

本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p~+/n~-、n~-/n~-样片;对键合的微观结构、键合强度、杂质分布及电接触特性进行了检测。     

半导体电场敏感器件和电场传感器

本文介绍了用MOS工艺制作的直接栅电场敏感FET,对其敏感特性进行了实验研究和理论分析.室温下,用此器件在空气中检测电场时,在外加电场小于空气击穿场强的范围内,器件的电流-电场跨导大于2μA/(kV/cm).用直接栅FET和普通MOSFET作差分对,利用栅绝缘层上压降正比于外电场的原理,用反馈和差分放大组合电路制作电场传感器.得到了0.2V/ (kV/cm)的线性输出.