Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响

在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现：在较高的温度（600℃）条件下,退火可以有效的消除大颗粒（〉5μm）的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽（FWHM）和腐蚀坑密度（EPD）。在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能。     

碲镉汞晶体中的第二相

前言碲镉汞(MCT)可以看成是由Ⅱ—Ⅵ族化合物Cd Te和Hg Te按不同化学计量比组成的。其相图的固相线和液相线分离得很宽,也就是说从液态缓慢地结晶成固态时,Cd Te相对于Hg Te要产生严重的分凝,以致晶体不具有均匀的组分。为克服这一严重缺陷,使熔体通过强制冷却快速凝固,是一种广泛用来制备MCT晶体的工艺。用这种方     

超声波在制备MCT晶体中的应用

引言: 目前国内外采用的吹N_2快速凝固再结晶法制备MCT晶体的工艺,能生长出组分均匀的晶体。但是由于MCT材料的特殊性,在再结晶前不可能像一般金属那样进行加工形变。所以再结晶时没有足够的晶界迁移的策动力,因此一般情况下很难长出线度很大