网络化高清制作的关键技术

大家知道,索尼有先进的显示器、摄像机、切换台等多种产品,为了节省时间,这里我们只讨论和高清网络化制作有关的关键技术,如果大家有什么问题可以联系索尼中国专业系统集团。高清制作的应用包括电影、广告、电视剧、体育和新闻采集等,还有一些独立的制片人,在制作流程上有前期拍摄、后期制作、播出发行,显示。索尼提供这么多产品是为了满     

硅烷法表面接枝氧化铝对环氧复合材料和特高压盆式绝缘子性能的影响

为了研究微米级填料表面纳米化修饰对环氧复合材料和特高压盆式绝缘子性能的影响,采用硅烷法表面接枝技术,制备出不同粒径增加值的表面纳米化修饰的微-纳复合氧化铝填料。通过掺混不同比例的微-纳复合氧化铝填料,制备了环氧复合材料和特高压盆式绝缘子,测定其机械性能、电气性能和热性能,并与未掺混的环氧复合材料和特高压盆式绝缘子进行对比。结果表明:掺杂硅烷法表面接枝的氧化铝填料后,环氧复合材料和盆式绝缘子的热性能和电气性能基本不变,但机械性能提升明显。添加表面接枝氧化铝填料的环氧复合材料拉伸强度随粒径增加值增大而减小,随掺混比例先增大后减小,掺混比例为15%时,拉伸强度最大,达到90.88MPa,提升了16.5%,特高压盆式绝缘子压力试验破坏值提升了15%。氧化铝表面接枝对于提高环氧复合材料机械性能,提升特高压盆式绝缘子可靠性具有实际意义。     

小样本目标识别问题下的BN参数学习

目标识别问题中存在大量不确定信息, 利用BN可以对不确定信息及其相互关系进行学习与推理。但是, 目标识别问题的样本量较小, 在参数学习过程中, 常因观测数据不足产生误差, 需要引入单调性信息等专家经验, 针对这一问题, 提出最小元算法。首先, 利用最小元表达单调性信息, 将其转化为参数学习可以直接利用的先验信息; 然后, 基于保序回归思想, 对参数学习结果进行优化, 消除误差, 得到相对准确的网络参数。以空中目标识别为仿真背景, 与最小子集算法比较, 验证了该算法在准确度与复杂度等方面的优势。     

Telefunken——播放享誉世界的乐章（四）

引领时代，誉满欧美：1933-1938[下] Telefunken卓越的创造力与雄厚的研发实力在1938年交相辉映，达到令人叹为观止的顶点。这年出品的875、876等中端机型都根据交流供电、直流供电、是否配置电唱机等配置上又细分成WK、GWK、WKS、GWKS、WKA、WKAS等子型，为民众提供了多种多样的选择。图1所示为875WK的外观。 875这台有着“Zeesen”称号的中端机型，以短波性能优越著称。Zeesen是德国一个小镇的地名，1931年这里建起了德国第一个短波发射电台，从此Zeesen成为短波广播在德国的呢称。875的短波频率范围覆盖6～18kHz，即16～50m频段。     

水热法制备Pr掺杂Bi2WO6三维花状微球的光催化性能

通过水热法制备稀土Pr掺杂Bi₂WO₆三维花状微球,利用XRD、SEM、N₂吸附-脱附、紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱对所制备的光催化材料进行表征。通过降解亚甲基蓝评价样品的光催化活性。结果表明,1.0% Pr-Bi₂WO₆样品的可见光催化活性最佳,降解率达到95%。Pr掺杂提高了催化剂的可见光吸收性能并且能够束缚光生电子使得电子空穴对有效分离从而获得强氧化物质。对其光催化降解做出了合理的解释。     

Sc12Co和Sc12Ni团簇的几何结构、磁性和光谱特性的理论研究

基于密度泛函理论和卡利普索结构预测方法,在B3PW91/LanL2DZ水平下,系统研究了Sc₁₃,Sc₁₂Co和Sc₁₂Ni团簇的几何结构、磁性和光谱特性.结果表明,Sc₁₃基态拥有高对称性的二十面体I_h点群对称结构,Sc₁₂Co和Sc₁₂Ni团簇基态结构是分别以Co和Ni为中心的畸变二十面体结构.基于上述基态结构,电荷转移分析发现电荷从Sc原子向Ni或Co原子转移.磁性分析表明Sc₁₃团簇的高磁性主要源于Sc—Sc之间的铁磁性耦合和较大的自旋劈裂.对于Sc₁₂Co和Sc₁₂Ni团簇,Sc—Ni和Sc—Co各原子之间的反铁磁性耦合、较小的自旋劈裂及原子间的电荷转移量是磁性偏低的原因.而且,总磁矩主要来源于Sc-3d轨道上的自旋磁矩贡献,4s和4p轨道上的自旋磁矩贡献非常小.最后,研究发现Sc₁₂Co和Sc₁₂Ni团簇的红外和拉...     

一种低复杂度超宽带通信系统

超宽带通信系统首先要解决的问题是降低系统的功耗和硬件的复杂度。在研究基于TR技术的超宽带通信系统的基础上,提出一种降低ADC实现复杂性的方法,同时对ADC和AGC联合设计,降低超宽带通信系统实现的复杂性。仿真的结果表明,提出的ADC实现方法和传统的2 b ADC的性能相当,但复杂度降低;在前导序列时间内AGC能完成信号的合理放大,使之满足信号的接收解调需要,而在信息数据解调期间不用调整AGC的增益。     

部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.     

隐性通识教育课程的建设——大学物理中隐性通识教育资源的开发

发挥大学物理基础课教学涵盖面广的特点,通过物理教学环节的设计及教学内容的挖掘,将大学物理建设成为一门隐性通识教育课程.     

论计算机科学与技术的发展趋势

21世纪是一个高科技快速发展的时代,各种先进技术给社会进步提供了重要动力,对于促进经济水平进一步提升有着极大作用。我国目前已经加大计算机科学与技术的投入力度,在很大程度上有利于我国综合国力不断增长。本文就计算机科学与技术的发展趋势进行合理分析,以推动我国社会主义现代化建设更快、更好的发展。