超宽带大功率合成器设计北大核心CSCD

在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。     

数字电视整体转换意义深远

在自治区党委、政府和社会各界的大力支持及内蒙古广电局的直接领导下，内蒙古广播电视信息网络有限公司从无到有、从小到大，现已建成覆盖全区所有旗县并形成多个自愈保护环路的光缆干线12000公里，具备相当规模的网络业务运营能力，正在为自治区的经济建设、文化建设和与人民群众密切相关的网络信息数字化建设发挥着重要作用。     

场效应管应用电路两例

<正> 1.用场效应管的分压式衰减电路 该分压式衰减电路如图1所示。V为结型N沟道场效应管(FET),它与电阻R1组成电阻分压式衰减电路。因FET的漏极D与源极S之间可看成一个由栅极和源极间电压V_(GS)控制的可变电阻。V_(GS)为直流电压,且应为负值。若控制电压为交流电压,则要经过二极管整流、电容器滤波后再加到     

我国增值业务市场快速膨胀2011年收入将达2520亿元

信息产业部电信研究院通信信息研究所近日发布的《2008—2011年度中国电信运营业发展潜力预测》称，目前，影响中国电信运营业发展的各种因素总体上是积极、正面的，行业潜力会逐步得到释放，行业外延将不断扩大预计在2008至2011年间，个人、家庭和政企客户空间都呈继续增长的态势，电信增值业务市场收入也将不断攀升，预计到2011年可达到约2520亿元。不过，行业发展拐点可能在2009年到来，电信业将由与国民经济齐头并进转变为落后子国民经济增长。     

High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser system

High-power and high-efficiency operation of an all-solid-state, quasi-continuous-wave, titanium sapphire laser is obtained with a diode-laser-pumped frequency-doubled Nd:YAG laser as the pump source. A maximum output power of 2.5 W is obtained for 16-W power of 532-nm pump light. A much higher conversion efficiency of 15.7% is obtained when at the maximum output power.     

水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期Ca2+的超微细胞化学定位

应用焦锑酸盐沉淀技术对水稻花后衰退珠心和胚乳发育初期进行了Ca^2 的超微细胞化学定位。结果显示在初始衰退的珠心细胞中Ca^2 主要分布于液泡膜上和核内；在衰退中期的珠心细胞中，Ca^ 主要分布在核膜、液泡膜及质膜上；在严重衰退的珠心细胞，Ca^2 仅存在于液泡中。珠心降解的Ca^2 跨过胚囊壁，通过质外体向胚乳内运输；发育初期的胚乳细胞，Ca^2 主要位于胞间隙，线粒体和液泡中也有少量分布。讨论了Ca^2 与珠心PCD的关系。     

大型复杂高精度波导钎焊设备的研制：简介ZHS—132型真空钎焊炉

应军事电子装备，特别是军用雷达预研和生产的急需，电子工业部第二研究所近期研制的成功大型、复杂、高精度波导钎焊设备ＺＨＳ－１３２型真空钎焊炉。文中主要介绍了该设备的开发背景和对波导钎焊工艺的影响，该设备的设计构思、结构和技术特征，使用功能和效果，以及推广应用前景。     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

抽吸和压力梯度在层流边界层转捩过程中的作用

用空间模式的二次稳定性理论研究了抽吸和压力梯度对边界层三维亚谐扰动流动稳定性的影响．数值结果表明，固体边界上的抽吸有明显的层流控制作用，逆压梯度则有较强的不稳定作用．