吡嗪-2,3,5,6-四甲酸及4,4′-联吡啶与ds-金属配合物合成、结构及发光性质（英文）

合成了3种金属配合物{[Cd(pztc)(H2O)2]·(H2bpy)·3(H2O)}n(1),{[Zn3(pztc)2(Hbpy)2(bpy)(H2O)4]·7H2O}n(2),[Cu6(pztc)4(Hbpy)4(bpy)2(H2O)8]·17H2O(3)(bpy=4,4′-联吡啶,H4pztc=吡嗪-2,3,5,6-四甲酸),并对其进行了红外光谱分析、元素分析、热重分析、荧光光谱分析和X-射线单晶衍射分析。其中1和3中存在丰富的氢键,2为3D网状结构,存在金鱼状(H2O)10水簇。3为由化学键连接成的1D链状结构,由氢键连接成3D超分子结构。当激发光波长为320 nm时,1和2的最大荧光发射峰分别在496 nm和494 nm。     

有倾向性重连产生的反匹配网络

在具有网络结构的系统中度关联属性对于动力学行为具有重要的影响, 所以产生适当度关联网络的方法对于大量网络系统的研究具有重要的作用. 尽管产生正匹配网络的方法已经得到很好的验证, 但是产生反匹配网络的方法还没有被系统的讨论过. 重新连接网络中的边是产生度关联网络的一个常用方法. 这里我们研究使用重连方法产生反匹配无标度网络的有效性. 我们的研究表明, 有倾向的重连可以增强网络的反匹配属性. 但是有倾向重连不能使皮尔森度相关系数下降到-1, 而是存在一个依赖于网络参数的最小值. 我们研究了网络的主要参数对于网络度相关系数的影响, 包括网络尺寸, 网络的连接密度和网络节点的度差异程度. 研究表明在网络尺寸大的情况下和节点度差异性强的情况下, 重连的效果较差. 我们研究了真实Internet网络, 发现模型产生的网络经过重连不能达到真实网络的度关联系数.     

缓变场终止型IGBT特性的仿真

为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究.与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20～30 μm,峰值掺杂浓度为3.5×1015 cm-3的缓变场终止层.采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IG-BT和非穿通型IGBT (NPT-IGBT)在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真.结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗.最后介绍了一种针对600 V IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术.     

吡嗪-2, 3, 5, 6-四甲酸及4, 4-联吡啶与ds-金属配合物合成、结构及发光性质

合成了3种金属配合物{[Cd（pztc）（H₂O）₂]·（H₂bpy）·3（H₂O）}_n（1）,{[Zn₃（pztc）₂（Hbpy）₂（bpy）（H₂O）₄]·7H₂O}_n（2）,[Cu₆（pztc）₄（Hbpy）₄（bpy）₂（H₂O）₈]·17H₂O（3）（bpy=4,4’-联吡啶,H₄pztc=吡嗪-2,3,5,6-四甲酸）,并对其进行了红外光谱分析、元素分析、热重分析、荧光光谱分析和X-射线单晶衍射分析。其中1和3中存在丰富的氢键,2为3D网状结构,存在金鱼状（H₂O）₁₀水簇。3为由化学键连接成的1D链状结构,由氢键连接成3D超分子结构。当激发光波长为320nm时,1和2的最大荧光发射峰分别在496nm和494nm。     

利用边界元法求解一类重调和方程

边界元法(BEM)和多重互易法(MRM)相结合求解一类重调和方程.通过重调和基本解序列给出的MRM-方法和BEM, 推导出该类问题的MRM-边界变分方程, 用边界元法求解该变分方程, 从而得到重调和方程的近似解, 并给出了解的存在唯一性证明.通过数值算例说明了MRM-方法具有收敛速度快、计算精度高, 易编程等优点, 为使用边界元法数值求解重调和方程提供了方法和理论依据.适合于工程中的实际运算.     

功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真

静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素.利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异.结果表明,器件外端电压波形均经历过冲、负阻振荡和平缓发展三个阶段,对应器件内部的“过耗尽”、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等复杂变化,差别在于反偏ESD造成的电压过冲更明显,且出现典型的U型电场分布,与雪崩耐量相比对器件造成的影响更剧烈.为改善器件在反偏ESD和雪崩耐量测试过程中的电流丝化问题,考察了结构参数对器件抗ESD能力和雪崩耐量的影响,发现提高n-区掺杂浓度和阳极表面浓度对提高抗ESD能力和雪崩耐量起到促进作用.     

吡嗪-2,3,5,6-四甲酸及4,4'-联吡啶与ds-金属配合物合成、结构及发光性质

合成了3种金属配合物{[Cd(pztc)(H2O)2]·(H2bpy)·3(H2O)}n(1),{[Zn3(pztc)2(Hbpy)2(bpy)(H2O)4]·7H2O}n(2),[Cu6(pztc)4(Hbpy)4(bpy)2(H2O)8]·17H2O(3)(bpy=4,4′-联吡啶,H4pztc=吡嗪-2,3,5,6-四甲酸),并对其进行了红外光谱分析、元素分析、热重分析、荧光光谱分析和X-射线单晶衍射分析。其中1和3中存在丰富的氢键,2为3D网状结构,存在金鱼状(H2O)10水簇。3为由化学键连接成的1D链状结构,由氢键连接成3D超分子结构。当激发光波长为320 nm时,1和2的最大荧光发射峰分别在496 nm和494 nm。     

150 V电荷耦合功率MOSFET的仿真

电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150 V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区)电荷匹配问题进行了仿真优化研究,结果表明:N1区和N2区浓度分别约为2.2×1016cm-3和4.5×101 5cm-3时,电场分布更加均匀、耐压更高,且比导通电阻仅为1.306 mΩ·cm2,即击穿电压和比导通电阻间达到最佳匹配。同时,还针对器件不同槽深进行了静态特性和动态特性的整体仿真优化研究,结果表明:槽深在7~9μm时,器件满足耐压要求且击穿电压随双漂移区掺杂浓度匹配程度变化较为平稳。最后,优化结构与传统槽栅MOSFET相比,其栅漏电容和栅电荷大幅降低,器件优值降低了约87%。     

600 V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真

载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TACD仿真工具,依托内透明集电极(ITC)技术,研究了600 V槽栅CSL-p BL-ITC-IGBT电特性。为了保证器件承受住不小于10μs的短路时间,设置了哑元胞。在此基础上,仿真分析了CSL和p BL的尺寸及掺杂浓度、哑元胞尺寸等对器件特性的影响,并与普通的槽栅ITC-IGBT、点注入局部窄台面(PNM)ITC-IGBT的主要技术指标进行对比,给出CSL和p BL的尺寸及掺杂浓度的最佳范围。结果表明,合理的参数设计可使CSL-p BL-ITC-IGBT具有更优的技术折中曲线。     

Motile parameters of cell migration in anisotropic environment derived by speed power spectrum fitting with double exponential decay

Cell migration through anisotropic microenvironment is critical to a wide variety of physiological and pathological processes.However,adequate analytical tools to derive motile parameters to characterize the anisotropic migration are lacking.Here,we proposed a method to obtain the four motile parameters of migration cells based on the anisotropic persistent random walk model which is described by two persistence times and two migration speeds at perpendicular directions.The key process is to calculate the velocity power spectra of cell migration along intrinsically perpendicular directions respectively,then to apply maximum likelihood estimation to derive the motile parameters from the power spectra fitting with double exponential decay.The simulation results show that the averaged persistence times and the corrected migration speeds can be good estimations for motile parameters of cell migration.