光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用

介绍了光化学汽相淀积法的原理以及ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律，特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。     

自动焊接技术在SPRITE探测器内引线联接工艺中的应用

为使自动金丝球焊接技术应用于碲镉汞红外器件的研制工艺，在大量试验的基础上，摸索出一套使用自动金丝球焊接技术进行了ＳＰＲＩＴＥ红外器件内引线焊接的可靠方法。文中还对自动焊接的精度和最小间距进行了探讨。     

HgCdTe光导芯片室温电阻率不稳定问题探讨

集中讨论 MCT 光导芯片电阻率随时间变化的问题。研究结果表明:MCT芯片中 Hg 原子的逐渐逸出导致了材料组分即 x 值随时间变化,这是芯片室温电阻率变化的主要原因;另外,在某些条件下(如加温),芯片表面可形成高浓度的 n 型载流子薄层,也将引起芯片的室温电阻率的变化。     

铝基火花源发射光谱仪测定MB1镁合金中锰含量

建立了用铝基体火花源原子发射光谱仪现有通道硬件测定镁合金(MB1)中锰元素含量的方法.方法线性相关系数为0.967 6,RSD为1.66%.对8个未知样品进行了测试,结果与化学分析方法所得结果一致.     

碲镉汞光导器件的电学参数

本文从材料不均匀性和表面影响的角度探讨x=0.27的碲镉汞红外光电导器件芯片的电学参数可设计性差的原因。     

MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨

重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ型薄层，从而对芯片的室温电阻率产生影响。     

计算机高速网络的拥塞控制:一种基于速率的PI方法

本文运用现代控制理论和方法,针对计算机高速互联网中最大服务交通流即能控交通流的调节问题,提出了一种基于速率的具有比例加积分(PI)控制器结构的拥塞控制理论和方法.在单个节点的交通流的模型基础上,运用控制理论中系统稳定性分析方法,讨论如何利用信终端节点缓冲占有量的比例加积分的反馈形式来调节信源节点的能控交通流的输入速率,从而使被控网络节点的缓冲占有量趋于稳定;同时使被控网络节点的稳定队列长度逼近指定的门限值.仿真结果显示,在所设计的PI控制方案下,网络的有关性能较好.     

计算机通信网络中基于速率的端对端拥塞控制

运用现代控制理论和方法，在多个信源节点单个信终端节点的端对端模型基础上，考虑到信终端节点的缓冲占有量的动态稳定，设计了一类可以比较好地调节ABR信源节点发送速率的控制器，使得终端节点的缓冲占有量可以逐渐稳定。     

(Hg,Zn)Te红外探测器首次研制成功

用移动熔区法生长的(Hg,Zn)Te晶体制成了光伏探测器。本文首次介绍并讨论了此探测器的特征。     

示波器的使用与维护

本文介绍了示波器的使用及常见故障排除方法和经验．