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单色性是激光的重要特性.在激光器中加入选频元件,可以获得单纵模的激光输出,这样的激光也被称为单频激光.目前已经有很多商用化的技术可以用来产生单频激光,单频激光对推动科学研究以及光通信等产业起了决定性的作用.光学微腔激光器是可以芯片化制作的微小激光器,是光子芯片中不可或缺的光源.基于全反射约束机制的回音壁模式光学微腔激光器由于高品质因子等优点受到广泛重视.但是,高Q微腔一般在比较大尺寸的微腔中实现,这时,微腔中相邻回音壁模式间隔远小于增益介质的增益谱,所以,通常人们得到的超低阈值微腔激光器都足多纵模(多频)输出.针对这个问题,我们提出采用耦合微腔的方法,在保持回音壁模式微腔高品质因子的同时,压制多纵模,产生单频激光输出. 相似文献
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基于菲涅耳-基尔霍夫衍射积分理论,研究了端面泵浦固体激光器中泵浦源——LD阵列光纤耦合模块的输出光空间特性,及其对振荡光特性的影响。结果显示:LD阵列光纤耦合模块的输出光强分布不平滑,呈多尖峰分布,尖峰位置对LD光束指向角敏感,随指向角、空间排布等因素的变化而变化,是多种因素综合作用的结果;具有尖峰结构的泵浦光场对振荡光横模结构有直接影响,泵浦光尖峰位置越居中,光强径向分布曲线在轴心处越凸起,振荡光光束质量越好,越凹陷,振荡光光束质量越差,在激光器设计中应有针对性地具体考虑应对措施。 相似文献
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尚磊 《电信工程技术与标准化》2002,(6):15-17
电源系统在通信中占有极高的地位,对组合电源配电系统的可靠性,灵活性,扩容性,智能化要求也越来越高,一个完整的组合通信电源系统包括五部分,分别是交流配电单元,整流配电单元,直流配电单元,蓄电池组,监控系统。 相似文献
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新型四倍频光生毫米波矢量信号调制技术 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种基于双并联马赫-曾德尔调制器(MZM)的新型四倍频光生毫米波技术,并用于矢量信号调制。传统的四倍频调制技术,由于数据信号同时调制到+2,-2阶边带上,拍频检测后两个边带上数据信号会产生相位叠加,只适用于不归零码(NRZ)等强度调制格式。提出的矢量信号调制技术将数据信号调制在一个-1阶边带上,另一个+3阶边带不携带数据,在拍频检测后幅度和相位信息被正确保留。同时,四倍频模块降低了传输过程中对电和光器件的带宽需求。理论分析和仿真结果表明,通过此方法产生的携带在60GHz载波上的6.25×108 symbol/s的四相相移键控(QPSK)信号,经过20km单模光纤传输后,误差向量幅度(EVM)损耗可以忽略。 相似文献
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高品质因素(Q)光学微腔被认为是实现高灵敏度无标记生物传感的重要光学器件,其原理是被测物质粘附于微腔表面从而改变 相似文献
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气相催化是一种绿色环保的化工方法.氟氯烯烃是一种重要的化工原料,其中顺式和反式结构的氟氯烯烃具有较大的物理属性差异.我们旨在研发一种气相催化异构化氟氯烯烃的方法.首先以CF3CCl=CClCF3为原料,讨论了不同催化剂的气相异构化效率.其次,采用XRD、 TPD、 BET、 XPS、 GC、 GC-MS等手段讨论了催化剂的组成、酸性强度、催化剂表面酸性种类、催化剂活性组分、异构化产物的组成情况.在此基础之上,提出了异构化的机理解释.最后,采用4种不同原料,验证了上述机理解释.为工业化生产提供了重要的理论依据. 相似文献
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受激布里渊散射效应具有光谱线宽窄、频率稳定和增益方向敏感等优点,常用于激光器,慢光产生和微波光子滤波器等.本文基于As2S3硫系玻璃、以SiO2为衬底设计了一种亚微米尺寸的带空气狭缝倒置结构脊型波导结构,具有高达8.22×104 W–1·m–1的后向受激布里渊散射增益系数.研究显示在该结构的同种光学和声学模式下,更小的声光场有效模场面积具有更高的后向受激布里渊散射增益系数.还分析了硫系玻璃的光学损耗对后向受激布里渊散射的影响,发现当波导长度超过最优值后,斯托克斯光波功率开始下降,而增大泵浦光功率不仅可以提高斯托克斯光波功率的极大值,同时还会增大波导长度的最优值.当所输入的泵浦光功率为20 mW时,受激布里渊散射增益达到100 d B波导长度仅需要2 cm,这非常有利于光子器件的片上集成. 相似文献
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基于菲涅耳-基尔霍夫衍射积分理论,研究了端面泵浦固体激光器中泵浦源LD阵列光纤耦合模块的输出光空间特性,及其对振荡光特性的影响。结果显示:LD阵列光纤耦合模块的输出光强分布不平滑,呈多尖峰分布,尖峰位置对LD光束指向角敏感,随指向角、空间排布等因素的变化而变化,是多种因素综合作用的结果;具有尖峰结构的泵浦光场对振荡光横模结构有直接影响,泵浦光尖峰位置越居中,光强径向分布曲线在轴心处越凸起,振荡光光束质量越好,越凹陷,振荡光光束质量越差,在激光器设计中应有针对性地具体考虑应对措施。 相似文献
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介绍了两种传统等效采样的意义、原理和方法,指出其局限性,在精准测量上存在难度并分析了其原因,提出了实时测试波形采显技术的研究,通过找准跳变点及时间延两方面,结合芯片电学性能和结构特点,快速开发出芯片的测试程序. 相似文献
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