p-n结的隧道击穿模型研究

建立了抽象化的理论模型对p-n结隧道击穿机理进行定量研究,在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化,并进行定量计算,得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n结实验数据相吻合,证明了所建立的理论模型在定量研究p-n结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。     

Pt纳米粒子辅助化学刻蚀制备硅减反射层

制备高效硅太阳能电池,需要在整个太阳光谱范围内进行有效陷光和保持低反射率.基于贵金属粒子湿法辅助刻蚀方法,在P型(100)单晶硅表面溅射了一层厚度为1～5 nm的非连续分布Pt粒子层作为催化剂,浸入HF/H2O2的水溶液中进行湿法刻蚀,制备的减反射层在300～800 nm入射光波段范围的平均减反射率低于7%,减反射效果明显优于传统的热碱溶液刻蚀单晶硅所得的织构.通过进一步优化工艺参数,并增镀SiNx等减反射膜,陷光效果将会进一步提高.研究结果为高效太阳能电池的设计提供了新思路.