单色光石英退偏器的退偏机理及性能研究

研究了单色光石英退偏器的退偏机理；定义了退偏度作为衡量退偏器性能的物理量。从实验上在４４０～９２０ｎｍ的光谱范围测试了器件的退偏度，结果表明：只要器件的结构角适当，或者适当调节入射光束的截面大小，便可对某一单色线偏振光实现很好的退偏。     

获得偏振光的方法

介绍了用反射、折射及干涉等方法获得线偏振光、椭圆偏振光和圆偏振光的方法 ,并从原理、实验及生产工艺等方面进行了说明     

磁光晶体GdYBiIG的磁致退偏效应

建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。该系统采用中心波长为1538nm的WGY型半导体激光器，在0～1500mT的大范围可调磁场下，对光隔离器用磁光晶体GdYBiIG样品的退偏效应进行了测试。测试结果表明，达到磁饱和或接近磁饱和时，GdYBiIG晶体的偏振性能最优；达到磁饱和后，随着磁场的增强，出现了磁致退偏效应。分析了磁致退偏效应的产生机理，给出磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。实验测试与理论分析表明，根据磁光晶体GdYBiIG这种退偏效应的规律性，在利用该类晶体制作磁光器件时，外加磁场强度稍大于它的磁饱和强度即可。     

磁光晶体Bi-YIG的磁致退偏效应

建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。对Bi YIG晶体样品在大范围磁场下的退偏现象进行了测试。结果表明,达到磁饱和或接近磁饱和时,Bi YIG晶体的偏振性能最优;达到磁饱和后,随着磁场的增强,出现了磁致退偏效应。根据实验结果分析了磁致退偏效应的产生机理,并说明了磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。     

石英晶体光轴方向厚度的光学测量研究

给出了一种精确测量石英晶体光轴方向厚度的光学测量方法,其测量精度可以达到0.002mm。     

斜入射时BiCaInVIG和GdYBiIG晶体旋光角变化的研究

搭建了磁光晶体的磁致偏振特性测试实验系统。利用此实验系统,在可调磁场下,对两种光通信用磁光晶体BiCaInVIG和GdYBiIG垂直入射与斜入射时旋光角的变化进行了测试。测试结果表明,该两类晶体均存在Faraday效应的各向异性。