微波管内的表面击穿

全面介绍了真空条件下表面击穿的研究状况,重点讨论了二次电子发射雪崩理论,论述了二次电子发射、陶瓷表面处理、磁场、解吸附等因素对表面击穿的影响,并讨论了增加表面击穿电压的各种办法.为研究微波管的人员提供了理论参考.     

有髓神经纤维中太赫兹波传输的模式理论分析

利用解析法研究并得到了神经纤维中太赫兹波-远红外频段(0.1×10¹²～100×10¹² Hz)传输模式的色散曲线,并在此基础上分析了不同模式下神经纤维中横向截面上的能量以及场分布。通过与数值仿真软件CST的对比,证明了该方法的正确性。在研究太赫兹波在神经纤维中的纵向传输问题时,计算了有耗情况下太赫兹波在神经纤维中传输的坡印亭矢量,并比较了不同模式的传输效率,计算结果表明,神经髓鞘的高介电特性使得太赫兹波的能量能够有效地集中在髓鞘区域从而避免了细胞内外的极性溶液对太赫兹波的强吸收。     

S波段大功率行波管电子枪设计

采用皮尔斯电子枪综合法设计，并在综合法设计中引入圆筒电极聚焦和双阳极设置概念，再通过Egu。数值模拟、优化，方便、快速设计出了S波段大功率螺旋线行波管高导流系数、大电流、高电流密度电子注电子枪，该电子枪成功加工装配在行波管整管中。     

卷绕双梳齿行波管中注-波互作用的研究

本文利用CST 软件中的粒子工作室对采用卷绕双梳齿慢波结构的圆极化行波管中的注-波互作用情况进行了粒子模拟研究,观察了电子束的运动情况,同时得到了电压、电流、磁场和输入功率四个重要电气参数对输出功率的影响。研究结果为圆极化行波管的设计奠定了理论基础。     

衰减器位置对宽带螺旋线行波管功率凹陷的影响

宽带螺旋线行波管的输出功率往往会在某个频率点附近形成所谓的功率凹陷,功率凹陷的存在严重影响了行波管的性能。理论分析表明,行波管衰减器的位置对功率凹陷的改善有一定的影响。本文通过改变衰减器的位置,利用大信号软件模拟仿真,了解衰减器位置变化对螺旋线行波管的影响,提高凹陷点的功率以达到改善行波管输出性能的目的。     

折叠波导行波管切断匹配的设计

 利用电磁模拟软件,计算得到了H面渐变与E面渐变的楔形衰减器匹配效果,指出在相同渐变长度下,E面渐变匹配效果优于H面渐变。H面渐变衰减器反射主要来源于电场集中处,而E面渐变衰减器主要来源于渐变前部尖端处。在此基础上设计出了一种变形的匹配衰减器,即在E面渐变衰减器渐变开始处向前延伸一块薄片。计算结果与测试结果表明:与H面渐变和E面渐变的楔形衰减器相比,所设计衰减器在近截止频率处的匹配效果得到了明显的改善。     

真空微二极管发射特性的解析解

通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系．     

毫米波带状注电子枪的设计方法

利用理论分析和仿真模拟相结合的方法对带状电子注的产生进行了系统的研究,并提出了一种带状注电子枪的设计方法.首先通过理论分析,提出了一种计算带状注电子枪结构参数的迭代算法,即根据注电压、注电流、电子注注腰处半厚度、阴极半厚度和阴极宽度,计算出带状注电子枪的阴极柱面半径、阴阳极间距、阳极柱面半径和射程等主要参数;在此基础上,通过仿真模拟,为毫米波真空电子器件设计了一种带状注电子枪.     

速调管离子噪声特性的模拟分析

 离子噪声已成为影响现代微波管性能的一个重要因素，采用一维混合模型研究了速调管的离子噪声，用自编的1维粒子模拟程序对速调管的离子噪声特性进行了分析。采用小信号近似，从理论上推导出了速调管离子噪声与相位畸变关系的表达式，表明微波管相位噪声直接来源于管内离子量的变化。模拟了有离子噪声时速调管的相位特性，对模拟过程做了离子诊断并与实验结果进行比较，证明了模拟过程的正确性。探讨了电子束电流、电压以及聚焦磁场对离子噪声的影响规律，束电流与束电压改变后，离子噪声的周期与大小相应改变，增大束电流，离子噪声幅度会下降，并趋于稳定，而在束电流不变的情况下，离子噪声存在一个最小值。束电流与束电压确定，存在最佳的磁场使离子噪声幅度最小。