φ75mmSI-GaAs单晶的研制

近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量，在过去成功经验的基础上，自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉，在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长，首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下：电子迁移率：5.47×103cm2／V·s电阻率：23×107/Ω·cm位错密度EPD：8．8XIO4cm－’迁移率径向均匀性凸p／P：53见电阻率径向均匀性凸人P：146拓从得到的结果…     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。     

熔体配比对SIGaAs单晶性能的影响

系统地讨论了熔体的配比与ＧａＡｓ单晶质量之间的关系,尤其对半绝缘性能、光敏性能以及均匀性方面进行了分析, 以期提高ＧａＡｓ单晶的质量     

熔体配比对SI GaAs单晶性能的影响

系统地讨论了熔体的配经与ＧａＡｓ单晶质量之间的关系，尤其对半绝缘材料，光敏性能以及均匀性方面进行了分析，以期提高ＧａＡｓ单晶的质量。     

HPLEC-SI-GaAs单晶炉三温区设计

简要介绍了三温区设计中应该注意的几点事项和关键技术 ,并对该三温区的使用情况作了简单介绍。